[实用新型]基于磁谐振耦合的多功能能量双向传输电路有效
申请号: | 202020963421.5 | 申请日: | 2020-06-01 |
公开(公告)号: | CN211981582U | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 刘珺 | 申请(专利权)人: | 华东交通大学 |
主分类号: | H02J50/12 | 分类号: | H02J50/12 |
代理公司: | 江西省专利事务所 36100 | 代理人: | 张文 |
地址: | 330013 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 谐振 耦合 多功能 能量 双向 传输 电路 | ||
1.一种基于磁谐振耦合的多功能能量双向传输电路,其特征在于:包括多功能双向模块I、磁谐振耦合模块、多功能双向模块II和采样控制模块,多功能双向模块I的输入端接输入侧AB,多功能双向模块I的输出端接磁谐振耦合模块的输入端,磁谐振耦合模块的输出端接多功能双向模块II的输入端,多功能双向模块II的输出端接输出侧GH;
采样控制模块与多功能双向模块I、多功能双向模块II相联接,其中:采样控制模块对多功能双向模块I的两侧电压UAB、UCD及电流
其中:多功能双向模块I包括由第1~第4双向交流开关K1~K4构成的双向全桥电路拓扑与第1电感L1;
第1交流双向开关K1由 MOSFET Q11与MOSFET Q12反向串联而成,第2交流双向开关K2由MOSFET Q21与MOSFET Q22反向串联而成,第3交流双向开关K3由MOSFET Q31与MOSFET Q32反向串联而成,第4交流双向开关K4由MOSFET Q41与MOSFET Q42反向串联而成,G1S1~G4S4分别为第1~第4交流双向开关K1~K4的第1~第4控制端;
第1电感L1的一端接输入侧AB的一端In1,第1电感L1的另一端接第1交流双向开关K1与第3交流双向开关K3的公共端A,第1交流双向开关K1与第2交流双向开关K2的公共端C与磁谐振耦合模块的原边的一端相连,磁谐振耦合模块的原边的另一端与第3交流双向开关K3与第4交流双向开关K4的公共端D相连,第2交流双向开关K2与第4交流双向开关K4的公共端B与输入侧AB的另一端In2相连;
多功能双向模块II包括由第5~第8双向交流开关K5~K8构成的双向全桥电路拓扑与第2电感L2;
第5交流双向开关K5由 MOSFET Q51与MOSFET Q52反向串联而成,第6交流双向开关K6由MOSFET Q61与MOSFET Q62反向串联而成,第7交流双向开关K7由MOSFET Q71与MOSFET Q72反向串联而成,第8交流双向开关K8由MOSFET Q81与MOSFET Q82反向串联而成,G5S5~G8S8分别为第5~第8交流双向开关K5~K8的第5~第8控制端;
第2电感L2的一端接输出侧电压UAB的一端Out1,第2电感L2的另一端接第5交流双向开关K5与第6交流双向开关K6的公共端G,第5交流双向开关K5与第7交流双向开关K7的公共端E与磁谐振耦合模块的副边的一端相连,而磁谐振耦合模块的副边的另一端与第6交流双向开关K6与第8交流双向开关K8的公共端F相连,而第7交流双向开关K7与第8交流双向开关K8的公共端H与输出侧电压UGH的另一端Out2相连。
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