[实用新型]一种整流二极管模块有效
| 申请号： | 202020963897.9 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN212342618U | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 凌定华;洪国东;戴国中;方新建 | 申请（专利权）人： | 黄山市阊华电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L29/861;H01L23/29;H01L23/49 |
| 代理公司： | 杭州凌通知识产权代理有限公司 33316 | 代理人： | 李振泉 |
| 地址： | 245000 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 整流二极管 模块 | ||
1.一种整流二极管模块，包括底板，设置在底板上的两块陶瓷片，两个分别设置在底板左右两端的安装孔，陶瓷片上设置有一组覆铜区域，按整流电路方式设置在覆铜区域上的引出电极，其特征在于：还包括一组按整流电路设置在陶瓷片上芯片裸片及键合在芯片裸片和覆铜区域之间铝丝。
2.根据权利要求1所述的整流二极管模块，其特征在于：芯片为区溶单晶，绕其上表面外边缘一周设置有钝化区，钝化区为二氧化硅、玻璃粉780℃高熔点钝化。
3.根据权利要求1所述的整流二极管模块，其特征在于：每片芯片裸片上用于键合覆铜区域的铝丝均设置有多根。
4.根据权利要求1或3所述的整流二极管模块，其特征在于：各铝丝和芯片裸片相接的部分均设置有多个接触点，呈波浪状。
5.根据权利要求4所述的整流二极管模块，其特征在于：各铝丝位于芯片裸片上方末端向上弯曲后向下倾斜键合至相应的覆铜区域上。
6.根据权利要求5所述的整流二极管模块，其特征在于：芯片裸片绿阻焊在陶瓷片上。
7.根据权利要求6所述的整流二极管模块，其特征在于：引出电极的顶端设置外接孔，引出电极位于外接孔下方设置有易弯折孔，引出电极和覆铜区域之间的焊接部分设置一排气缺口。
8.根据权利要求1至3任意一项所述的整流二极管模块，其特征在于：铝丝的直径为0.38mm，铝丝键合高度不高于5mm。
9.根据权利要求8所述的整流二极管模块，其特征在于：键合在同一芯片裸片上的铝丝的间距在0.5mm-1mm之间。
10.根据权利要求9所述的整流二极管模块，其特征在于：所述底板为预弯紫铜底板，陶瓷片为氮气真空焊接在底板上。
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