[实用新型]带隙基准电压源

权利要求书

1.一种带隙基准电压源，其特征在于，包括：

高温补偿电路，用于产生随温度升高增大的高温补偿电流；

低温补偿电路，用于产生随温度升高减小的低温补偿电流；

带隙基准电路，分别连接所述高温补偿电路和所述低温补偿电路，用于产生经过所述高温补偿电流或所述低温补偿电流进行高阶温度补偿的带隙基准电压。

2.根据权利要求1所述的带隙基准电压源，其特征在于，所述带隙基准电路包括带隙启动单元、嵌位运放和基准核心单元；

所述带隙启动单元连接所述基准核心单元，用于对所述基准核心单元进行启动控制，所述嵌位运放连接所述基准核心单元，用于对所述基准核心单元进行电压嵌位；

所述基准核心单元分别连接所述高温补偿电路和所述低温补偿电路，所述基准核心单元用于产生所述带隙基准电压。

3.根据权利要求2所述的带隙基准电压源，其特征在于，所述基准核心单元包括MOS管PM1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、双极晶体管Q1和双极晶体管Q2；所述嵌位运放包括运算放大器和负载模块，所述负载模块包括MOS管NM1至NM12；

所述MOS管PM1的源极用于连接电源AVDD，所述MOS管PM1的栅极分别连接所述带隙启动单元的第一控制端和所述运算放大器的MOS管PM6的栅极，所述MOS管PM1的漏极用于输出所述带隙基准电压；

所述电阻R1的一端连接所述MOS管PM1的漏极，所述电阻R1的另一端分别连接所述高温补偿电路的输出端、所述低温补偿电路的输出端、所述带隙启动单元的第二控制端、所述电阻R2的一端以及所述电阻R3的一端；

所述电阻R2的另一端分别连接所述双极晶体管Q1的集电极和所述运算放大器的MOS管PM11的栅极，所述电阻R3的另一端分别连接所述电阻R4的一端和所述运算放大器的MOS管PM12的栅极，所述电阻R4的另一端连接所述双极晶体管Q2的集电极，所述双极晶体管Q1和所述双极晶体管Q2的发射极均接地；

所述MOS管NM1的漏极连接所述运算放大器的MOS管PM2的漏极，所述MOS管NM1至NM4共栅连接且栅极连接至所述MOS管NM1的漏极，MOS管NM2的漏极连接所述运算放大器的MOS管PM4的漏极，所述MOS管NM1至NM4共源连接并接地；

MOS管NM5和MOS管NM6共源连接并接地，所述MOS管NM5的漏极连接所述运算放大器的MOS管PM11的漏极，所述MOS管NM5、MOS管NM7、MOS管NM9和MOS管NM11的栅极相连并接至所述MOS管NM1的漏极，所述MOS管NM6的栅极分别连接所述MOS管NM5的漏极和MOS管NM12的栅极；

所述MOS管NM7和MOS管NM8共源连接并接地，所述MOS管NM7的漏极连接所述运算放大器的MOS管PM12的漏极，所述MOS管NM8的栅极分别连接所述MOS管NM7的漏极和所述MOS管NM10的栅极，所述MOS管NM9和所述MOS管NM10共源连接并接地，所述MOS管NM9的漏极连接所述运算放大器的MOS管PM9的漏极；

所述MOS管NM11的漏极连接所述运算放大器的MOS管PM10的漏极，所述MOS管NM11和所述MOS管NM12共源连接并接地。

4.根据权利要求3所述的带隙基准电压源，其特征在于，所述带隙基准电路还包括第一修调单元，所述电阻R4的另一端通过所述第一修调单元连接所述双极晶体管Q2的集电极；

所述第一修调单元包括依次串联的电阻R5至R8，以及与所述电阻R5至R8一一对应且并联连接的修调开关PD0至PD3，所述电阻R5的输入端连接所述电阻R4的另一端，所述电阻R8的输出端连接所述双极晶体管Q2的集电极；

任一所述修调开关包括电平转换器以及漏极相连、源极相连的一对MOS管，且其中一个MOS管的栅极连接所述电平转换器的第一输出端，另一个MOS管的栅极连接所述电平转换器的第二输出端，所述电平转换器的输入端用于接入外部寄存器信号。