[实用新型]一种高密度芯片的扇出型封装结构有效

专利信息
申请号: 202020966793.3 申请日: 2020-06-01
公开(公告)号: CN212084946U 公开(公告)日: 2020-12-04
发明(设计)人: 王新;蒋振雷 申请(专利权)人: 杭州晶通科技有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/48;H01L23/31;H01L21/78
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 张超
地址: 311121 浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 高密度 芯片 扇出型 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种高密度芯片的扇出型封装结构,其特征在于:包括被塑封层塑封的硅基转接板,与被塑封的硅基转接板触点电连接的重新布线层,以及设置于重新布线层表面的锡球,所述硅基转接板包括至少三层二氧化硅互联层,被其中一层表层二氧化硅层包裹的多片硅片以及贯穿三层二氧化硅和硅片空隙的金属互联柱,金属互联柱间间距为5~50um。

2.根据权利要求1所述的高密度芯片的扇出型封装结构,其特征在于:所述金属互联柱碑廓位于第一二氧化硅互联层中的第一金属互联柱,位于第二二氧化硅互联层中的第二金属互联柱以及位于第三二氧化硅互联层中的第三金属互联柱,作为焊盘的第一金属互联柱相互间间距为5~20um,作为联结柱的第三金属互联柱相互间间距为10~50um,高度为30~100um,用于联结第一金属互联柱和第三金属互联柱的第二金属互联柱线宽为0.1~1um。

3.根据权利要求1所述的高密度芯片的扇出型封装结构,其特征在于:至少包含两层第二二氧化硅互联层,互相间通过第二金属互联柱连接。

4.根据权利要求1所述的高密度芯片的扇出型封装结构,其特征在于:重新布线层由使用光刻的方法制作成的光敏性的聚酰亚胺有机介电层和由使用电化学镀ECD的方法制成的金属导线层构成。

5.根据权利要求2所述的高密度芯片的扇出型封装结构,其特征在于:第三金属互联柱的上表面与第三二氧化硅互联层的上表面平齐,处于同一平面。

6.根据权利要求2所述的高密度芯片的扇出型封装结构,其特征在于:作为焊盘的第一金属互联柱的上表面与第一二氧化硅互联层的上表面平齐,处于同一平面。

7.根据权利要求2所述的高密度芯片的扇出型封装结构,其特征在于:第二二氧化硅互联层凹槽处的第二金属互联柱的上表面,与第二二氧化硅互联层凹槽以外区域的二氧化硅的上表面平齐,处于同一平面。

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