[实用新型]一种具有石墨烯导电膜的VCSEL

权利要求书

1.一种具有石墨烯导电膜的VCSEL，其特征在于，包括：

衬底；

设置于所述衬底表面的外延叠层，所述外延叠层包括以第一方向依次堆叠的N型DBR层、N型波导限制层、量子阱、P型波导限制层、氧化层、P型DBR层、Al_xGa_(1-x)As层及GaAs层，所述氧化层具有一介质孔；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延叠层；

第一电极，其层叠于所述GaAs层背离所述Al_xGa_(1-x)As层的一侧的部分表面；

第二电极，其层叠于所述衬底背离所述N型DBR层的一侧表面；

石墨烯导电膜，其覆盖于所述外延叠层的裸露面并与所述第一电极形成连接，所述石墨烯导电膜包括依次层叠的第一绝缘层、石墨烯薄膜层、第二绝缘层，所述第一绝缘层或第二绝缘层直接层叠于所述外延叠层的裸露面。

2.根据权利要求1所述的具有石墨烯导电膜的VCSEL，其特征在于，在外延叠层的水平裸露面设有所述石墨烯导电膜，且所述石墨烯导电膜与所述介质孔在所述衬底表面的投影重合。

3.根据权利要求1所述的具有石墨烯导电膜的VCSEL，其特征在于，所述VCSEL具有一N型DBR裸露部，所述N型DBR裸露部自所述GaAs层经所述Al_xGa_(1-x)As层、P型DBR层、氧化层、P型波导限制层、量子阱以及N型波导限制层延伸至所述N型DBR层，以使所述N型DBR层的一部分被暴露在所述N型DBR裸露部。

4.根据权利要求3所述的具有石墨烯导电膜的VCSEL，其特征在于，所述N型DBR裸露部层叠有所述石墨烯导电膜。

5.根据权利要求4所述的具有石墨烯导电膜的VCSEL，其特征在于，所述N型DBR裸露部环绕所述外延叠层的四周；且所述石墨烯导电膜以被保持在所述N型DBR裸露部的方式层叠于所述N型DBR层，并环绕所述外延叠层的四周。

6.根据权利要求1或2或3或4或5所述的具有石墨烯导电膜的VCSEL，其特征在于，石墨烯薄膜层的厚度为λ/2，其中，λ为所述VCSEL芯片的光源波长。

7.根据权利要求6所述的具有石墨烯导电膜的VCSEL，其特征在于，所述Al_xGa_(1-x)As层的厚度为3λ/8，GaAs层的厚度为λ/8，第一绝缘层和第二绝缘层的厚度均为λ/8。