[实用新型]一种半导体薄膜气体传感器有效
| 申请号： | 202020972878.2 | 申请日： | 2020-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN212658657U | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 黄辉;渠波 | 申请（专利权）人： | 黄辉;渠波 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人： | 朱黎光;李托弟 |
| 地址： | 116024 辽宁省大连市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 薄膜 气体 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体薄膜气体传感器，其特征在于：所述半导体薄膜气体传感器包括衬底、以及设置于所述衬底第一表面的半导体薄膜；
所述半导体薄膜表面设置有电极；
所述半导体薄膜的上方设置有用于照射所述半导体薄膜的光源；或，
所述半导体薄膜底部设置有用于照射所述半导体薄膜的光源；或，
所述衬底的第二表面设置有用于照射所述半导体薄膜的光源，所述衬底第一表面和所述衬底第二表面相对设置。
2.根据权利要求1所述的半导体薄膜气体传感器，其特征在于，所述半导体薄膜表面设置有至少两个电极。
3.根据权利要求2所述的半导体薄膜气体传感器，其特征在于，所述半导体薄膜的厚度为1nm-1μm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体薄膜气体传感器，其特征在于，所述半导体薄膜的表面镀有催化剂层。
5.根据权利要求1-3任一项所述的半导体薄膜气体传感器，其特征在于，所述电极设置于所述半导体薄膜表面的两端位置。
6.根据权利要求1-3任一项所述的半导体薄膜气体传感器，其特征在于，所述衬底为硅衬底、石英衬底或蓝宝石衬底，所述光源为LED。
7.根据权利要求6所述的半导体薄膜气体传感器，其特征在于，所述光源的波长小于450nm，所述光源的功率小于20mW。
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