[实用新型]双门极晶闸管壳体结构有效
申请号: | 202020989999.8 | 申请日: | 2020-06-01 |
公开(公告)号: | CN212113680U | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 刘东 | 申请(专利权)人: | 杭州西风半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/047 | 分类号: | H01L23/047;H01L29/74 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 阎忠华 |
地址: | 311100 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双门极 晶闸管 壳体 结构 | ||
1.一种双门极晶闸管壳体结构,其特征是,包括陶瓷磁环(1),设于陶瓷磁环下部内的下管板(2),设于下管板上的下钼垫片(3),设于下钼垫片上的芯片(4),设于芯片上的上钼垫片(5),设于上钼垫片上的上管板(6),设于上管板下表面中部的上凹槽(61),设于下管板上表面中部的下凹槽(21),设于上凹槽和芯片上表面之间的上门极装置体(611),设于下凹槽和芯片之间的下门极装置体(211);上门极装置体通过上门极引线(6111)与设于陶瓷磁环侧壁上的上门极端子接头(6112)连接,下门极装置体通过下门极引线(2111)与设于陶瓷磁环侧壁上的下门极端子接头(2112)连接,上管板中设有横向延伸的上门极引线通道(62),上门极引线穿过上门极引线通道,下管板中设有横向延伸的下门极引线通道(22),下门极引线穿过下门极引线通道,上钼垫片上设有上门极装置体避让孔,下钼垫片上设有下门极装置体避让孔。
2.根据权利要求1所述的双门极晶闸管壳体结构,其特征是,下管板通过环形裙板(7)与陶瓷磁环下端固定连接,环形裙板上设有异形辅助端子(71)。
3.根据权利要求1所述的双门极晶闸管壳体结构,其特征是,陶瓷磁环上端设有环形连接板(11),环形连接板上设有辅助端子(111)。
4.根据权利要求1所述的双门极晶闸管壳体结构,其特征是,上凹槽和上门极装置体之间设有上弹簧(612)。
5.根据权利要求1所述的双门极晶闸管壳体结构,其特征是,下凹槽和下门极装置体之间设有下弹簧(212)。
6.根据权利要求3所述的双门极晶闸管壳体结构,其特征是,上管板外周面上设有环形板(63),环形连接板和环形板固定连接。
7.根据权利要求1或2或3或4或5或6所述的双门极晶闸管壳体结构,其特征是,陶瓷磁环外周面上设有螺旋上升的裙板(12)。
8.根据权利要求1或2或3或4或5或6所述的双门极晶闸管壳体结构,其特征是,上凹槽的下边缘和下凹槽的上边缘均呈喇叭形,上管板上表面中部和下管板下表面中部均设有安装定位孔。
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