[实用新型]一种钼承烧钵有效
| 申请号： | 202021000556.8 | 申请日： | 2020-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN212457940U | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 蒋小明 | 申请（专利权）人： | 陕西华星电子开发有限公司 |
| 主分类号： | F27D5/00 | 分类号： | F27D5/00 |
| 代理公司： | 西安泛想力专利代理事务所(普通合伙) 61260 | 代理人： | 石琳丹 |
| 地址： | 712034 陕西省西安市西咸新区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钼承烧钵 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于半导体陶瓷半导化工艺的承烧钵，其特征在于，所述承烧钵是由金属钼制作而成，所述承烧钵包括外壳体和用于封盖外壳体上方敞口的盖板；所述承烧钵为长方体结构，长度方向的两侧面开设有透气孔。
2.根据权利要求1所述的用于半导体陶瓷半导化工艺的承烧钵，其特征在于，所述长度方向的两侧面均匀开设有三排透气孔。
3.根据权利要求1所述的用于半导体陶瓷半导化工艺的承烧钵，其特征在于，所述外壳体的内侧壁靠近上端设置有径向凸起，用于承托所述盖板并同时起到加强筋的作用。
4.根据权利要求3所述的用于半导体陶瓷半导化工艺的承烧钵，其特征在于，所述径向凸起整体为圆环形结构或齿形结构。
5.根据权利要求3或4所述的用于半导体陶瓷半导化工艺的承烧钵，其特征在于，所述盖板的边缘设置为向上的折边结构，折边与外壳体的内侧壁平行，且折边上端低于外壳体的内侧壁上端。
6.根据权利要求1所述的用于半导体陶瓷半导化工艺的承烧钵，其特征在于，所述盖板的上表面中部固定设置有把手。
7.根据权利要求1所述的用于半导体陶瓷半导化工艺的承烧钵，其特征在于：所述承烧钵的边缘厚度为1.9mm～2.2mm。
8.根据权利要求7所述的用于半导体陶瓷半导化工艺的承烧钵，其特征在于：所述承烧钵的边缘厚度为2mm。
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