[实用新型]刻蚀滚轮、刻蚀组件及刻蚀设备有效
| 申请号： | 202021001856.8 | 申请日： | 2020-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN211828707U | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 谢毅;周公庆;马志强;王璞 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（眉山）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 唐菲 |
| 地址： | 620000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 滚轮 组件 设备 | ||
1.一种刻蚀滚轮，其特征在于，所述刻蚀滚轮的作用面具有多个周向设置的凸棱，相邻的两个所述凸棱之间形成有凹槽，所述凸棱为弯曲状结构。
2.根据权利要求1所述的刻蚀滚轮，其特征在于，多个凸棱平行排列于所述刻蚀滚轮的作用面。
3.根据权利要求1所述的刻蚀滚轮，其特征在于，多个凸棱首尾连接，且呈螺旋状设置于所述刻蚀滚轮的作用面。
4.根据权利要求1至3任一项所述的刻蚀滚轮，其特征在于，所述凸棱包括基体部和弯折部，所述基体部自所述凹槽底部沿所述刻蚀滚轮的径向向外延伸，所述弯折部的一端与所述基体部连接，另一端向靠近所述凹槽底部的方向延伸，所述弯折部与所述基体部形成至少一个带液槽。
5.根据权利要求4所述的刻蚀滚轮，其特征在于，所述带液槽开口朝向所述凹槽的底部或朝向相邻的凹槽的底部。
6.根据权利要求4所述的刻蚀滚轮，其特征在于，所述弯折部的内径由与所述基体部连接的一端向自由端逐渐减小。
7.根据权利要求1所述的刻蚀滚轮，其特征在于，所述凹槽的深度为6-9mm。
8.根据权利要求7所述的刻蚀滚轮，其特征在于，所述刻蚀滚轮的直径为30-60mm。
9.一种刻蚀滚轮组件，其特征在于，由多个如权利要求1至8任一项所述的刻蚀滚轮组成，多个所述刻蚀滚轮并排设置。
10.一种刻蚀设备，其特征在于，包括刻蚀槽和如权利要求9所述的刻蚀滚轮组件，所述刻蚀滚轮组件设置于所述刻蚀槽的内部，且与所述刻蚀槽相匹配。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
