[实用新型]一种硅片承载装置及硅片缺陷检测装置

说明书

本实用新型提供一种硅片承载装置及硅片缺陷检测装置，所述硅片承载装置包括：承载台，所述承载台的直径小于待承载硅片的直径；至少两个限位组件，所述至少两个限位组件与所述承载台的侧壁固定连接，所述至少两个限位组件呈同圆周设置，所述限位组件的限位面到所述承载台的中心的水平距离大于所述待承载硅片的半径且小于预设阈值。根据本实用新型实施例的硅片承载装置，可以在放置硅片过程中实现硅片与承载台相对位置的快速定位，解决了需要对硅片进行反复矫正的问题，提高了放片的速度，并且避免了反复矫正过程导致仪器受污染。

技术领域

本实用新型涉及硅片缺陷检测技术领域，具体涉及一种硅片承载装置及硅片缺陷检测装置。

背景技术

300mm以上的大尺寸硅片通常是采用柴式直拉法(Czochralski)，此方法是将高纯多晶硅放入石英坩埚中，将籽晶没入硅熔体中，经过引晶，收颈，放肩，等径生长以及收尾等工序，就可以得到单晶硅锭，再经过成型，抛光，清洗等工序得到硅片。

在整个过程中，在硅片表面会有很多缺陷，一类是单晶硅生长过程中的原生缺陷如晶体原生缺陷COP，氧化诱生堆垛层错OSF等；另一类是硅片加工过程，如线锯，抛光，清洗过程引入的划伤，颗粒等，这些都会影响到硅片的良率。随着半导体产业的发展，集成电路特征线宽的不断减小，现如今要求达到7nm，这就要求硅片的缺陷更小、更少，这不光是对硅片制造技术的严峻考验，也是对检测方法的严峻考验。

目前，原子力显微镜因其极低的检测限已应用到半导体领域。原子力显微镜的基本原理是：将一个对微弱力极敏感的微悬臂一端固定，另一端有一微小的针尖，针尖与样品表面轻轻接触，当原子间距离减小到一定程度以后，原子间的作用力将迅速上升，由此，根据显微探针受力的大小就可以直接换算出样品表面的高度，从而获得样品表面形貌的信息。

现有半导体用原子力显微镜可以在读取颗粒计数仪测试得出的测试数据后进行硅片上微小缺陷(尺寸小于100nm)的自动分析，在这个过程中，需要将颗粒计数仪得出的缺陷坐标与原子力显微镜的样品载台本身的坐标进行匹配，在匹配前还需要先对放在原子力显微镜的样品载台上的硅片进行坐标校正，因测试的硅片是裸片，所以要选取硅片边缘三个点以及V槽来确定硅片的中心，这个过程要求在手动装载硅片过程中将硅片大致放在载台的中心，偏差不超出3mm，超出3mm后将超出样品载台移动的最大程度，无法进行硅片中心校准，因而通常需要多次进行手动矫正，而且手动矫正过程中由于操作人员的手等部位将位于设备上方，从而会有颗粒落在硅片上和设备上，导致设备和硅片受污染。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供一种硅片承载装置及硅片缺陷检测装置，能够解决现有技术中硅片放置过程需要反复矫正，以及在放置硅片过程中硅片和设备受污染的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用以下技术方案：

本实用新型一方面实施例提供一种硅片承载装置，包括：

承载台，所述承载台的直径小于待承载硅片的直径；

至少两个限位组件，所述至少两个限位组件与所述承载台的侧壁固定连接，所述至少两个限位组件呈同圆周设置，所述限位组件的限位面到所述承载台的中心的水平距离大于所述待承载硅片的半径且小于预设阈值；

在所述限位组件的数量为两个的情况下，两个所述限位组件之间的水平距离小于所述待承载硅片的直径，在所述限位组件的数量为至少三个的情况下，所述至少三个限位组件位于所述承载台的同一半圆周侧壁上。

可选的，所述限位组件包括底座和限位块，所述限位块包括滑块和与所述滑块连接的限位杆，所述底座上开设有滑槽，所述滑块设置于所述滑槽内并可在所述滑槽内移动，所述滑槽的延伸方向与所述承载台的轴向相同，在所述滑块移动至所述滑槽的顶端的情况下，所述限位杆的顶端高于所述承载台，在所述滑块下移至所述滑槽的预设位置的情况下，所述限位杆的顶端不高于所述承载台。