[实用新型]一种离子信号在线探测记录系统

权利要求书

1.一种离子信号在线探测记录系统，其特征在于，包括：CMOS平板探测器、CMOS成像芯片和混合像素探测器；

所述CMOS平板探测器设置在低能离子的出射区域，所述CMOS平板探测器用于探测低能离子信号；所述CMOS成像芯片设置在中能离子的出射区域，所述CMOS成像芯片用于探测中能离子信号；所述混合像素探测器设置在高能离子的出射区域，所述混合像素探测器用于探测高能离子信号；所述低能离子、所述中能离子和所述高能离子均是由激光打靶产生的。

2.根据权利要求1所述的一种离子信号在线探测记录系统，其特征在于，所述CMOS平板探测器包括：第一外壳、CMOS芯片、光纤面板、闪烁晶体和第一金属薄膜；所述第一外壳内由下向上依次设置所述CMOS芯片、所述光纤面板、所述闪烁晶体和所述第一金属薄膜；所述第一外壳和所述第一金属薄膜形成密闭的空间；所述第一金属薄膜用于接收所述低能离子。

3.根据权利要求1所述的一种离子信号在线探测记录系统，其特征在于，所述CMOS成像芯片包括：第二外壳、CMOS图像传感器、第一感光层和第二金属薄膜；所述第二外壳内由下向上依次设置所述CMOS图像传感器、所述第一感光层和所述第二金属薄膜，所述第一感光层和所述CMOS图像传感器连接；所述第二金属薄膜和所述第二外壳形成密闭的空间，所述第二金属薄膜用于接收所述中能离子。

4.根据权利要求1所述的一种离子信号在线探测记录系统，其特征在于，所述混合像素探测器包括：第三外壳、读出芯片、第二感光层和第三金属薄膜；所述第三外壳内由下向上依次设置所述读出芯片、所述第二感光层和所述第三金属薄膜，所述第二感光层和所述读出芯片连接；所述第三金属薄膜与所述第三外壳形成密闭的空间，所述第三金属薄膜用于接收所述高能离子。

5.根据权利要求2所述的一种离子信号在线探测记录系统，其特征在于，所述第一外壳由内向外依次是铝、铅和聚四氟乙烯。

6.根据权利要求3所述的一种离子信号在线探测记录系统，其特征在于，所述第二外壳由内向外依次是铝、铅和聚四氟乙烯。

7.根据权利要求4所述的一种离子信号在线探测记录系统，其特征在于，所述第三外壳由内向外依次是铝、铅和聚四氟乙烯。

8.根据权利要求2所述的一种离子信号在线探测记录系统，其特征在于，所述闪烁晶体为CsI晶体，所述CsI晶体的厚度为100μm-300μm。

9.根据权利要求3所述的一种离子信号在线探测记录系统，其特征在于，所述第一感光层厚度为8μm-20μm。

10.根据权利要求4所述的一种离子信号在线探测记录系统，其特征在于，所述第二感光层厚度为100μm-500μm。