[实用新型]一种3C-SiC外延结构有效
| 申请号： | 202021004778.7 | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN212783457U | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 左万胜;钮应喜;刘洋;张晓洪;刘锦锦;袁松;史田超;史文华;钟敏 | 申请（专利权）人： | 芜湖启迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 尹婷婷 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic 外延 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种3C-SiC外延结构，其特征在于，所述3C-SiC外延结构由下至上依次包括衬底、GaN缓冲层、3C-SiC外延层；
所述衬底和GaN缓冲层之间还包括AlN缓冲层、和/或AlGaN缓冲层。
2.根据权利要求1所述的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述AlN缓冲层位于AlGaN缓冲层之下。
3.根据权利要求1或2所述的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述AlGaN缓冲层还可替换为AlGaN缓冲层A和AlGaN缓冲层B；所述AlGaN缓冲层A位于AlGaN缓冲层B之下。
4.根据权利要求1或2所述的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述AlGaN缓冲层还可替换为超晶格缓冲层。
5.根据权利要求4所述的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述超晶格缓冲层为AlGaN/GaN超晶格缓冲层或AlN/AlGaN超晶格缓冲层。
6.根据权利要求1或2所述的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述AlN缓冲层的厚度为80～300nm。
7.根据权利要求1所述的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述GaN缓冲层的厚度为10～500nm；所述3C-SiC外延层的厚度为10～100μm。
8.根据权利要求3所述的3C-SiC外延结构，其特征在于，所述AlGaN缓冲层A和所述AlGaN缓冲层B的厚度均为10～500nm。
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