[实用新型]一种InSb敏感元及无引线InSb光电红外传感器及探测器

权利要求书

1.一种InSb敏感元，其特征在于：所述InSb敏感元包括底托、至少一个InSb单晶片和至少一组导电电极；

所述底托的下沉槽底部设置有所述InSb单晶片；所述InSb单晶片上设置有所述导电电极，所述导电电极与所述InSb单晶片接触连接；

所述底托上表面设置导电浆线路，所述导电浆线路设置在所述导电电极与管座的引脚连接点之间。

2.根据权利要求1所述的InSb敏感元，其特征在于：所述导电电极与所述InSb单晶片之间还设置过渡层。

3.根据权利要求1所述的InSb敏感元，其特征在于：所述InSb单晶片的厚度为5至80μm。

4.根据权利要求1所述的InSb敏感元，其特征在于：所述InSb单晶片的尺寸为3mm*5mm或者2mm*4mm。

5.根据权利要求1所述的InSb敏感元，其特征在于：所述导电电极采用银、铂、铬、镍铬合金或者金制成。

6.一种无引线InSb光电红外传感器，其特征在于：包括管帽、管座、红外滤光片和权利要求1至5任一项所述的InSb敏感元；至少一个红外滤光片贴装在所述管帽上，所述管帽和所述管座密封连接，构成检测腔；

至少一个InSb敏感元设置在所述管座上，所述InSb敏感元的导电电极通过导电浆线路连接所述管座的引脚连接点，以实现检测信号的传输。

7.根据权利要求6所述的无引线InSb光电红外传感器，其特征在于：所述红外滤光片呈倒T型结构。

8.根据权利要求6所述的无引线InSb光电红外传感器，其特征在于：所述管帽上设置有两个红外滤光片，所述管座上设置有包含两个InSb单晶片和两组导电电极的InSb敏感元。

9.根据权利要求8所述的无引线InSb光电红外传感器，其特征在于：

两个InSb单晶片的一端通过其中两个导电电极连接所述管座的同一引脚连接点，两个InSb单晶片的另一端通过另两个导电电极连接所述管座的不同引脚连接点；

或，两个InSb单晶片不共用所述管座的引脚连接点。

10.一种光电红外探测器，包括PCB板和匹配电路，其特征在于：还包括权利要求6至9任一项所述的无引线InSb光电红外传感器，所述无引线InSb光电红外传感器设置在所述PCB板上；所述无引线InSb光电红外传感器的管脚与匹配电路连接。