[实用新型]读写转换电路以及存储器

说明书

本实用新型实施例提供一种读写转换电路以及存储器，读写转换电路包括：读写转换模块，响应于读写控制信号以进行读写操作，以使所述本地数据线以及所述本地互补数据线与所述全局数据线之间进行数据传输，且在所述读写操作期间，所述本地数据线与所述本地互补数据线的数据信号相位相反；控制模块，与读写转换模块连接，响应于读写速度配置信号以输出可变的所述读写控制信号，以控制所述读写转换模块的读写操作的速度可变。本实用新型实施例中的读写转换电路的读写操作的速度可以变化，有利于改善存储器的性能。

技术领域

本实用新型实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种读写转换电路以及存储器。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连，字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。

DRAM可以分为双倍速率同步(Double Data Rate，DDR)动态随机存储器、GDDR(Graphics Double Data Rate)动态随机存储器、低功耗双倍速率同步(Low Power DoubleData Rate，LPDDR)动态随机存储器。随着DRAM应用的领域越来越多，如DRAM越来越多的应用于移动领域，用户对于DRAM功耗指标的要求越来越高。

然而，目前的DRAM性能仍有待提高。

实用新型内容

本实用新型实施例解决的技术问题为提供一种读写转换电路以及存储器，使得读写转换电路的读写操作的速度可变，以改善存储器的性能。

为解决上述问题，本实用新型实施例提供一种读写转换电路，其特征在于，包括：读写转换模块，响应于读写控制信号以进行读写操作；控制模块，与所述读写转换模块连接，响应于读写速度配置信号以输出可变的所述读写控制信号，以控制所述读写转换模块的读写操作的速度可变。

另外，还包括：速度配置模块，与所述控制模块连接，用于向所述控制模块输出所述读写速度配置信号。

另外，所述读写控制信号包括读取控制信号以及写入控制信号，所述读写转换模块响应于所述读取控制信号以进行读取操作，响应于所述写入控制信号以进行写入操作；所述速度配置模块包括：读取速度配置单元，用于向所述控制模块输出所述读写速度配置信号中的读取速度配置信号，以使所述控制模块响应于所述读取速度配置信号输出可变的所述读取控制信号，以控制所述读取操作的速度可变；写入速度配置单元，用于向所述控制模块输出所述读写速度配置信号中的写入速度配置信号，以使所述控制模块响应于所述读取速度配置信号输出可变的写入控制信号，以控制所述写入操作的速度可变。

另外，还包括：本地数据线、本地互补数据线以及全局数据线；在所述读写操作期间，所述本地数据线以及所述本地互补数据线与所述全局数据线之间进行数据传输，且所述本地数据线与所述本地互补数据线的数据信号相位相反。

另外，所述读写转换模块包括：本地读写单元，响应于所述读写控制信号中的本地读写控制信号以进行本地读写操作；所述控制模块包括：本地控制单元，响应于所述读写速度配置信号中本地读写速度配置信号，以输出可变的所述本地读写控制信号，控制所述本地读写单元的本地读写操作的速度可变。

另外，所述读写转换电路还包括：本地速度配置模块，与所述本地控制单元连接，用于向所述本地控制单元输出所述本地读写速度配置信号。

另外，所述读写转换电路还包括：敏感放大器，所述敏感放大器经由所述本地数据线以及所述本地互补数据线与所述本地读写单元连接，用于感测位线电压。