[实用新型]一种下沉式还原炉喷嘴

说明书

本实用新型涉及一种下沉式还原炉喷嘴，属于多晶硅生产技术领域。它包括底盘（1）和进料喷嘴（2），所述底盘（1）为中空结构，空腔内设置有冷却水，所述底盘（1）上还匹配进料喷嘴（2）的位置设置有孔结构，所述孔结构匹配进料喷嘴（2）的长度，在下部设置螺纹，上部为光孔结构，所述进料喷嘴（2）下部配合设置喷嘴螺纹（3），上端为光杆结构，并与光孔结构间隙配合；所述进料喷嘴（2）内还设置有中心通孔（4）。本实用新型大幅降低了混合气体对喷嘴金属的高温烧蚀，从而降低多晶硅“体金属”杂质，提升多晶硅品质；另外连接螺纹完全浸没在冷却区域内，避免了螺纹高温变形，方便喷嘴拆装、清洗。

技术领域

本实用新型涉及一种下沉式还原炉喷嘴，属于多晶硅生产技术领域。

背景技术

现有技术下，改良西门子法生产多晶硅是国内、国际上生产多晶硅的主流成熟工艺，其中还原炉是该工艺的核心设备，混合气体通过喷嘴喷射进入钟罩，在多晶硅棒表面气相沉积，生成多晶硅，因此喷嘴是还原炉一个关键组成部分，它对还原炉内的气体分布、硅棒表面形态都会产生重大影响。目前业内使用的喷嘴都是通过螺纹固定在底盘上表，并且喷嘴会凸出底盘面30~120mm，这种的喷嘴在使用中主要有两个问题：1.底盘上表温度高，喷嘴螺纹容易“咬死”，拆装、清洗十分不便；2.凸出底盘面的喷嘴未得到有效冷却，表面金属会有缓慢的高温烧蚀，影响多晶硅品质。

例如专利公开号为CN103466628A的中国专利公开了一种可调反冲式多晶硅还原炉喷嘴，包括主喷嘴、底盘、紧定螺钉、导流罩和喷头，主喷嘴通过焊接或螺纹安装在底盘的进气口上，主喷嘴中心为进气通道，所述进气通道与所述喷头连通，所述喷头与所述主喷嘴连接，所述导流罩与所述主喷嘴连接，所述紧定螺钉安装在所述导流罩外侧。

该专利的这种结构主要通过在还原炉底盘进气口设置反冲式多晶硅还原炉喷嘴来调节炉内气体分布，既能满足硅芯下端的进气需求，又能防止进气引起硅芯振动导致倒棒，同时该喷嘴还能使一部分高速气体直达炉顶，对硅芯上端进行供料与冷却，防止玉米棒生成；但是，其喷嘴仍然凸出底盘面，存在上述问题。

因此，研发一种全新的喷嘴结构，从而避免螺纹咬死，提高多晶硅品质是迫在眉睫的。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决上述背景问题中提出的问题，提供一种下沉式还原炉喷嘴，它结构合理，能够避免螺纹咬死，且提高多晶硅品质。

本实用新型的目的是这样实现的：一种下沉式还原炉喷嘴，包括底盘和进料喷嘴，所述底盘为中空结构，空腔内设置有冷却水，所述底盘上还匹配进料喷嘴的位置设置有孔结构，所述孔结构匹配进料喷嘴的长度，在下部设置螺纹，上部为光孔结构，所述进料喷嘴下部配合设置喷嘴螺纹，上端为光杆结构，并与光孔结构间隙配合；

所述进料喷嘴内还设置有中心通孔。

所述中心通孔下部为渐开线喇叭口，上部为圆孔结构。

所述圆孔结构的直径为6~15mm。

所述进料喷嘴的顶端设有喷嘴六角，所述喷嘴六角紧贴底盘的上表面。

所述喷嘴六角厚度为5~10mm。

相比于现有技术，本实用新型具有以下优点：

本实用新型的一种下沉式还原炉喷嘴，大幅降低了混合气体对喷嘴金属的高温烧蚀，从而降低多晶硅“体金属”杂质，提升多晶硅品质；另外连接螺纹完全浸没在冷却区域内，避免了螺纹高温变形，方便喷嘴拆装、清洗。

附图说明

图1为本实用新型一种下沉式还原炉喷嘴的结构示意图。

其中：1、底盘；2、进料喷嘴；3、喷嘴螺纹；4、中心通孔；5、喷嘴六角。

具体实施方式