[实用新型]单晶炉管壁口冷却流道结构

说明书

一种单晶炉管壁口冷却流道结构，包括突出设置于单晶炉的顶部外侧的上凸缘、突出设置于单晶炉的底部外侧的下凸缘、呈螺旋状突出设置于单晶炉周向侧壁外侧的隔离件、第一扰流件及第二扰流件；上层的隔离件与下层的隔离件之间形成冷却流道；第一扰流件及第二扰流件的形状均为c字形；第一扰流件位于开口管朝向冷却流体的来源方向一侧，第一扰流件的开口侧朝向冷却流体的来源方向；第二扰流件位于开口管的另一侧，第二扰流件的开口侧朝向开口管。如此提高了对管壁上的开口的冷却效果。

技术领域

本实用新型涉及单晶材料生产设备领域，特别是一种单晶炉管壁口冷却流道结构。

背景技术

单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中，用石墨加热器等将多晶硅等多晶材料熔化，然后用直拉法向上直拉生长出晶棒的设备。晶棒可用于制作无错位单晶材料。晶棒在制作过程需要进行冷却，使得晶棒固定成型。

单晶炉的周向外侧设置有螺旋状的冷却通道，冷却流体在冷却通道内流动以对单晶炉及其内部的材料进行冷却。

单晶炉在管壁上开设有开口，以便于进料、加入添加剂等。冷却流体在经过进料口的冷却通道时由于受到重力的影响，只能对开口靠近底部的位置进行冷却，无法对开口靠近顶部的位置进行冷却。如此使得对开口处的冷却效果较低。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种提高对管壁上的开口的冷却效果的单晶炉管壁口冷却流道结构，以解决上述问题。

一种单晶炉管壁口冷却流道结构，设置于一单晶炉上，单晶炉的周向侧壁上开设有开口，开口处设置有开口管，所述单晶炉管壁口冷却流道结构包括突出设置于单晶炉的顶部外侧的上凸缘、突出设置于单晶炉的底部外侧的下凸缘、呈螺旋状突出设置于单晶炉周向侧壁外侧的隔离件、第一扰流件及第二扰流件；上层的隔离件与下层的隔离件之间形成冷却流道；第一扰流件及第二扰流件的形状均为c字形；第一扰流件位于开口管朝向冷却流体的来源方向一侧，第一扰流件的开口侧朝向冷却流体的来源方向；第二扰流件位于开口管的另一侧，第二扰流件的开口侧朝向开口管。

进一步地，所述冷却流道靠近下凸缘的一端具有流道入口，靠近上凸缘的一端具有流道出口。

进一步地，所述隔离件的中部且位于开口管下方的部分具有避让部，避让部包括呈角度连接的第一斜板及第二斜板。

进一步地，所述第一斜板与第二斜板之间的角度为100-150度。

进一步地，所述第一扰流件及第二扰流件位于冷却流道沿高度方向的中部位置。

进一步地，所述第一扰流件或第二扰流件与冷却流道的底部之间的距离小于与冷却流道的顶部之间的距离。

进一步地，还包括设置于隔离件外部的套筒。

进一步地，所述隔离件的宽度为2-4cm。

与现有技术相比，本实用新型的单晶炉管壁口冷却流道结构设置于一单晶炉上，单晶炉的周向侧壁上开设有开口，开口处设置有开口管，所述单晶炉管壁口冷却流道结构包括突出设置于单晶炉的顶部外侧的上凸缘、突出设置于单晶炉的底部外侧的下凸缘、呈螺旋状突出设置于单晶炉周向侧壁外侧的隔离件、第一扰流件及第二扰流件；上层的隔离件与下层的隔离件之间形成冷却流道；第一扰流件及第二扰流件的形状均为c字形；第一扰流件位于开口管朝向冷却流体的来源方向一侧，第一扰流件的开口侧朝向冷却流体的来源方向；第二扰流件位于开口管的另一侧，第二扰流件的开口侧朝向开口管。如此提高了对管壁上的开口的冷却效果。

附图说明

以下结合附图描述本实用新型的实施例，其中：

图1为本实用新型提供的单晶炉管壁口冷却流道结构的立体示意图。

图2为图1中的A部分的放大示意图。

具体实施方式