[实用新型]一种深紫外正装结构的LED芯片有效
| 申请号： | 202021040841.2 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN214043697U | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张晓娜;崔志勇;张向鹏;李勇强 | 申请（专利权）人： | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/36;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 张永辉 |
| 地址： | 046000 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 外正装 结构 led 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种深紫外正装结构的LED芯片，其特征在于，包括：
外延层结构，所述外延层结构包括PN结，所述PN结的顶部设置有P型AlGaN层、量子阱层以及N型AlGaN层；
电极，所述电极包括N电极、P电极，所述N电极与所述N型AlGaN层直接连接；
GaN层，设置在所述P型AlGaN层的上表面，所述P电极设置在所述GaN层的上表面，GaN层的图案形状与所述P电极图案的形状匹配；
ITO层，所述ITO层设置在所述P型AlGaN层的上表面，位于所述GaN层的周围。
2.根据权利要求1所述的一种深紫外正装结构的LED芯片，其特征在于，所述GaN层的截面面积为所述P电极图案截面面积的120％-150％。
3.根据权利要求1或2所述的一种深紫外正装结构的LED芯片，其特征在于，所述深紫外正装LED芯片的上表面还包括钝化层。
4.根据权利要求3所述的一种深紫外正装结构的LED芯片，其特征在于，所述钝化层采用SiO2层。
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