[实用新型]次毫米发光二极管背光模块

权利要求书

1.一种次毫米发光二极管背光模块，其特征在于，包含：

一直下式光源，具有一基板及复数次毫米发光二极管，该些次毫米发光二极管间隔排列设置于该基板上；及

一导光板，设于该直下式光源上方，该导光板具有一出光面及一入光面，该入光面与该出光面相对设置，且该入光面相对该直下式光源形成复数个供光空间，以供容置该些次毫米发光二极管并接收该些次毫米发光二极管发出的光线。

2.如权利要求1所述的次毫米发光二极管背光模块，其特征在于，

该些供光空间分别由一V型沟槽框围形成，且当该些次毫米发光二极管的宽度为a，高度为b，该些V型沟槽的斜面夹角为2θ时，该些V型沟槽的深度为(1/2)a cotθ+b，任意两个相邻的该些V型沟槽的间距为a+2btanθ；该些次毫米发光二极管的宽度a为0.11～0.24mm、高度b为0.1～0.2mm，且相邻的两该些次毫米发光二极管的间距为0.2、0.5或0.7mm。

3.如权利要求2所述的次毫米发光二极管背光模块，其特征在于，

该些次毫米发光二极管的高度b为0.15mm。

4.如权利要求2所述的次毫米发光二极管背光模块，其特征在于，

任意两个相邻的该些V型沟槽的间距与该些次毫米发光二极管的间距相等，而使每一该V型沟槽皆容置有该次毫米发光二极管。

5.如权利要求1所述的次毫米发光二极管背光模块，其特征在于，

该些供光空间分别由一梯型沟槽框围形成，且当该些次毫米发光二极管的宽度为a，高度为b时，该些梯型沟槽的底面宽度至少为1.3a，该些梯型沟槽的深度至少为1.3b。

6.如权利要求5所述的次毫米发光二极管背光模块，其特征在于，

任意两个相邻的该些梯型沟槽的间距与该些次毫米发光二极管的间距相等，而使每一该梯型沟槽皆容置有该次毫米发光二极管。

7.如权利要求5所述的次毫米发光二极管背光模块，其特征在于，

该些梯型沟槽的深度为1.3b～2.5b。

8.如权利要求1所述的次毫米发光二极管背光模块，其特征在于，

该入光面具有复数撑高部，该些撑高部凸出该入光面且间隔排列设置，而使该些供光空间分别由该入光面与该些撑高部所夹设形成。

9.如权利要求8所述的次毫米发光二极管背光模块，其特征在于，

该些次毫米发光二极管的宽度为0.11～0.24mm，该些撑高部的凸出长度为0.1～0.3mm，该些撑高部相对连接该入光面的侧为一平面，该些撑高部的间距为0.7～0.9mm，且该入光面对应该供光空间的区域设有复数光学微结构。