[实用新型]保险丝结构、存储单元有效
| 申请号： | 202021050492.2 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN212322994U | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 韩广涛 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子(杭州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L27/112;H01L21/768 |
| 代理公司： | 杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙) 33329 | 代理人： | 唐灵;赵杰香 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 保险丝 结构 存储 单元 | ||
1.一种保险丝结构，其特征在于，包括：
一氧化层；
在所述氧化层中依次层叠设置的一多晶硅层、多个第一接触孔、一第一金属层、一第一通孔、一第二金属层，其中，所述第一通孔配置为保险丝通孔，设置在所述第一金属层与所述第二金属层间；
一凹槽，配置在所述氧化层中，并围绕所述第一金属层、所述第一通孔、所述第二金属层而设置，所述凹槽包括一第一内壁、一第二内壁及位于所述第一内壁、所述第二内壁间的底壁，其中，所述第二内壁靠近所述第一金属层，所述凹槽的底壁低于所述第一金属层的底部。
2.根据权利要求1所述的保险丝结构，其特征在于，所述第二内壁与所述第一金属层的端部相齐。
3.根据权利要求1所述的保险丝结构，其特征在于，所述第一金属层、所述第二金属层的材料为铝。
4.根据权利要求1所述的保险丝结构，其特征在于，所述第一接触孔配置为保险丝接触孔。
5.一种存储单元，其特征在于，包括：
如权利要求1至4中的任一项所述的保险丝结构；
一编程晶体管；
一阳极端，配置在所述第二金属层上；
一阴极端，配置在所述编程晶体管上；
其中，所述编程晶体管导通时，所述阳极端与所述阴极端电性连接。
6.根据权利要求5所述的存储单元，其特征在于，所述编程晶体管包括一漏极、一源极、一栅极，其中，所述漏极与所述保险丝结构中的所述多晶硅层电性连接，所述源极配置为所述阴极端。
7.根据权利要求5所述的存储单元，其特征在于，
所述阳极端与所述阴极端配置为一第一偏置电压、且所述编程晶体管导通时，以烧毁所述第一通孔。
8.根据权利要求5所述的存储单元，其特征在于，所述编程晶体管为NMOS晶体管或者PMOS晶体管。
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