[实用新型]保险丝结构及存储单元

权利要求书

1.一种保险丝结构，其特征在于，包括：

一编程晶体管，所述编程晶体管包括：

一衬底；

一第一阱区，配置在所述衬底上；

一第一电极区，配置于所述第一阱区上；

一第二电极区，配置于所述第一阱区上，与所述第一电极区相对设置；

一控制电极，配置于所述第一电极区、所述第二电极区间，用于接收一控制信号，以控制所述第一电极区与所述第二电极区电连接；以及

一第一接触孔，用以配置为保险丝接触孔，设置在所述编程晶体管的所述第一电极区上。

2.根据权利要求1所述的保险丝结构，其特征在于，所述第一电极区配置为阳极端、所述第二电极区配置为阴极端。

3.根据权利要求2所述的保险丝结构，其特征在于，

所述阴极端设置一个或多个第二接触孔，所述控制电极设置一个或多个第三接触孔；

其中，所述第一接触孔配置为接收一第一电压信号，所述第二接触孔配置为接收一第二电压信号，所述第三接触孔配置为接收所述控制信号。

4.根据权利要求3所述的保险丝结构，其特征在于，

所述阳极端与所述阴极端配置为一第一偏置电压、且所述控制电极控制所述第一电极区与所述第二电极区电连接，以烧毁所述第一接触孔。

5.根据权利要求4所述的保险丝结构，其特征在于，

所述阳极端与所述阴极端配置为一第二偏置电压、且所述控制电极控制所述第一电极区与所述第二电极区电连接，以读取所述阳极端与所述阴极端间电流。

6.根据权利要求1所述的保险丝结构，其特征在于，所述编程晶体管为NMOS晶体管。

7.根据权利要求6所述的保险丝结构，其特征在于，

所述衬底配置为P型衬底；

所述第一阱区配置为P型阱区；

所述第一电极区配置为N型重掺杂；

所述第二电极区配置为N型重掺杂、P型重掺杂；以及

所述控制电极配置为多晶硅材质。

8.根据权利要求6所述的保险丝结构，其特征在于，所述第一电极区配置为漏区，所述第二电极区配置为源区与体端。

9.根据权利要求1所述的保险丝结构，其特征在于，所述编程晶体管为PMOS晶体管。

10.一种存储单元，其特征在于，包括如权利要求1至9中的任一项所述的保险丝结构。