[实用新型]一种超低空载功耗快速充电器

权利要求书

1.一种超低空载功耗快速充电器，其特征在于：其包括依次连接的AC输入端(1)、EMI滤波单元(2)、输入整流滤波单元(3)、变压器单元(4)以及输出整流滤波单元(5)、与该输入整流滤波单元(3)连接的DC输出端(6)、与该输入整流滤波单元(3)连接的启动电路单元(7)、与该启动电路单元(7)连接的PWM主控单元(8)、连接于该PWM主控单元(8)与变压器单元(4)之间的主开关管单元(9)、与该变压器单元(4)连接并为PWM主控单元(8)提供稳定电压的稳压电路单元(10)，该稳压电路单元(10)包括有与变压器单元(4)连接的第一二极管(101)、与该第一二极管(101)连接的第一MOS管(102)以及并联连接于该第一二极管(101)两端的第一电容(103)和连接于该第一MOS管(102)的G极和S极的第一电解电容(104)，该第一MOS管(102)的G极接地，该第一MOS管(102)的D极连接第一二极管(101)的阴极，该第一二极管(101)的阳极与变压器单元(4)连接，该第一MOS管(102)的S极和启动电路单元(7)均连接所述PWM主控单元(8)中PWM主控芯片(81)的同一个引脚；所述第一MOS管(102)为超高阈值电压耗尽型MOS管。

2.根据权利要求1所述的一种超低空载功耗快速充电器，其特征在于：所述第一MOS管(102)型号为DMZ0615E；所述PWM主控芯片(81)的型号为IW1760。

3.根据权利要求2所述的一种超低空载功耗快速充电器，其特征在于：所述第一二极管(101)的阳极还连接电阻R17和电阻R18后接地，且该电阻R17和电阻R18之间的连接线连接所述PWM主控芯片(81)；所述第一二极管(101)的阳极还连接电阻R15和电阻R16后接地，且该电阻R15和电阻R16之间的连接线连接所述PWM主控芯片(81)。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的一种超低空载功耗快速充电器，其特征在于：所述启动电路单元(7)包括有第二MOS管Q2、与该第二MOS管Q2的D极连接的电阻R25和电阻R1、与该第二MOS管Q2的S极连接的电阻R13，该第二MOS管Q2的G极连接所述PWM主控芯片(81)，该电阻R1连接所述输入整流滤波单元(3)，该电阻R13连接所述PWM主控芯片(81)及第一MOS管(102)的S极；所述第二MOS管Q2为超高阈值电压耗尽型MOS管。

5.根据权利要求4所述的一种超低空载功耗快速充电器，其特征在于：所述第二MOS管Q2的型号为CSF501D。

6.根据权利要求4所述的一种超低空载功耗快速充电器，其特征在于：所述变压器单元(4)包括有与该输入整流滤波单元(3)连接的吸收回路单元(41)和与该吸收回路单元(41)连接的变压器(42)，该变压器(42)连接所述第一二极管(101)的阳极，该吸收回路单元(41)和变压器(42)均连接所述主开关管单元(9)。

7.根据权利要求6所述的一种超低空载功耗快速充电器，其特征在于：所述主开关管单元(9)包括有主开关管(91)以及与该主开关管(91)的G极依次连接的电阻R23和二极管D3，该电阻R23和二极管D3两端并联连接有电阻R24，该主开关管(91)的D极连接所述吸收回路单元(41)和变压器(42)，该主开关管(91)的S极连接电阻R9后接地。

8.根据权利要求7所述的一种超低空载功耗快速充电器，其特征在于：所述主开关管(91)为MOS管，其型号为10N65V。