[实用新型]IGBT模块、图腾柱开关模块、开关电路及功率模块有效
申请号: | 202021074821.7 | 申请日: | 2020-06-11 |
公开(公告)号: | CN213027793U | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 刘超英 | 申请(专利权)人: | 广东理工学院 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H02M1/088;H02M1/32;H02M1/38;H03K17/081;H03K17/567 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 左恒峰 |
地址: | 526100 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | igbt 模块 图腾 开关 开关电路 功率 | ||
1.一种IGBT模块,其特征在于,包括:第一MOS管、第一PNP三极管和第一NPN三极管,所述第一MOS管的漏极通过电阻Rb1分别连接所述第一PNP三极管的基极和所述第一NPN三极管的集电极,所述第一PNP三极管的集电极连接所述第一NPN三极管的基极,所述第一NPN三极管的基极通过电阻Rbe1连接所述第一NPN三极管的发射极,所述第一PNP三极管的发射极作为所述IGBT模块的集电极C1,所述第一MOS管的栅极作为所述IGBT模块的门级G1,所述第一NPN三极管的发射极作为所述IGBT模块的发射极E1,所述第一MOS管的源极作为所述IGBT模块的源极S1。
2.一种图腾柱开关模块,其特征在于,包括:第一IGBT模块和第二IGBT模块,所述第一IGBT模块为权利要求1所述的IGBT模块,所述第二IGBT模块具有门极G2、集电极C2、发射极E2三个电极,所述第一IGBT模块的发射极E1连接所述第二IGBT模块的集电极C2,所述第一IGBT模块的源极S1连接所述第二IGBT模块的发射极E2,所述第一IGBT模块的集电极C1用于连接直流电源正极,所述第二IGBT模块的发射极E2用于连接直流电源负极。
3.根据权利要求2所述的图腾柱开关模块,其特征在于:所述第一PNP三极管的基极与所述第一PNP三极管的发射极之间设置有电阻Rbc。
4.一种开关电路,其特征在于,包括:权利要求2至3任意一项所述的开关模块和钳位电路,所述钳位电路的一端连接所述第一MOS管的漏极,所述钳位电路的另一端连接所述第二IGBT模块的门级G2,所述第二IGBT模块的门级G2上串联有一电阻Rg,所述电阻Rg的另一端用于连接外部门驱动信号。
5.一种功率模块,其特征在于,包括:基片和基片内封装的电路,所述电路为权利要求4所述的开关电路,所述基片上还设置有集电极C、发射极E、输出级O、第一门驱极Gu和第二门驱极Gb,所述集电极C连接所述第一IGBT模块的集电极C1,所述发射极E连接所述第二IGBT模块的发射极E2,所述输出级O连接所述第一IGBT模块的发射极E1和所述第二IGBT模块的集电极C2的公共端,所述第一门驱极Gu连接所述第一IGBT模块的门级G1,所述第二门驱极Gb通过所述电阻Rg连接所述第二IGBT模块的门级G2。
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H02M1-00 变换装置的零部件
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H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置