[实用新型]一种半绝缘砷化镓掺碳装置有效
申请号: | 202021076587.1 | 申请日: | 2020-06-10 |
公开(公告)号: | CN213447384U | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 马争荣;王建玲 | 申请(专利权)人: | 高密普特电子设备有限公司 |
主分类号: | C30B29/42 | 分类号: | C30B29/42;C30B35/00;G05B19/042 |
代理公司: | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人: | 殷盛江 |
地址: | 261500 山东省潍坊*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 绝缘 砷化镓掺碳 装置 | ||
本实用新型涉及半绝缘砷化镓加工技术领域,且公开了一种半绝缘砷化镓掺碳装置,包括主秤座,所述主秤座的顶部固定安装有半绝缘砷化镓安置箱。该半绝缘砷化镓掺碳装置,通过主秤座随时可以得到主原料的重量,工作人员仅需要操作控制机体配套的操作键盘,通过处理器计算出应该掺入的碳的重量,然后通过控制器发出的指令操作掺和管表面的电控阀,根据配料秤不断减少的重量随时关闭电控阀,相比工作把控,机械把控稳定性、精确性都会更高,并且不同重量的主体原料,都可以通过控制机体计算出相应的掺入量,工作效率更高,显示屏能够使得操作人员更加直观的显示各种配料的比例,最后经过搅拌装置的充分搅匀。
技术领域
本实用新型涉及半绝缘砷化镓加工技术领域,具体为一种半绝缘砷化镓掺碳装置。
背景技术
半绝缘砷化镓是指电阻率大于1×10^7Ω·cm的砷化镓单晶,最早使用掺入铬、氧等深受主杂质补偿硅等浅施主来生长半绝缘单位,现在主要使用高压单晶炉用热解坩埚由砷、镓直接合成非掺杂电子迁移率半绝缘单晶,为高速、高频器件及电路、光电集成电路的重要衬底材料,也可以用作二氧化碳激光器的耦合输出窗口。
为了使半绝缘砷化镓的性能更加优越,在加工半绝缘砷化镓的时候,往往会在最初加工的时候掺入碳(或铬),在掺入碳(或铬)的时候必须要严格把控碳(或铬)与主体原料的比例,以确保生产出的半绝缘砷化镓的品质,故此传统方式需要人工反复秤量,然后掺入,其缺点在于耗费人工的同时精确性以及效率低下,故此,本实用新型提出了一种半绝缘砷化镓掺碳装置。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种半绝缘砷化镓掺碳装置,具备工作效率高,比例精确等优点,解决了传统方式需要人工反复秤量,然后掺入,其缺点在于耗费人工的同时精确性以及效率低下的问题。
(二)技术方案
为实现上述工作效率高,比例精确的目的,本实用新型提供如下技术方案:一种半绝缘砷化镓掺碳装置,包括主秤座,所述主秤座的顶部固定安装有半绝缘砷化镓安置箱,所述半绝缘砷化镓安置箱的顶部固定安装有进料管,所述半绝缘砷化镓安置箱的顶部固定安装有搅拌电机,所述搅拌电机输出轴的底壁固定安装有搅拌装置,所述主秤座的左侧固定安装有台柱,所述台柱的顶部固定安装有配料秤,所述配料秤的顶部固定安装有配料器皿,所述配料器皿的底壁固定安装有掺和管,所述掺和管的表面固定安装有电控阀,所述主秤座的右侧固定安装有控制机体,所述控制机体的正面固定安装有显示屏,所述控制机体的内部固定安装有处理器,所述控制机体的内部且位于处理器的右侧固定安装有控制器。
优选的,所述主秤座、台柱以及控制机体的底部安装有橡胶材质的抬高座,主秤座和配料秤均为智能电子秤。
优选的,所述配料器皿为圆柱形,配料器皿的内底壁向右倾斜二十五度,配料器皿为不锈钢,配料器皿的内壁开设有与掺和管相适配的出料管孔,配料器皿所处高度高于半绝缘砷化镓安置箱所处高度。
优选的,所述半绝缘砷化镓安置箱为不锈钢,半绝缘砷化镓安置箱的顶部开设有三个通孔,半绝缘砷化镓安置箱为圆形体,半绝缘砷化镓安置箱的背面活动安装有出料密封门。
优选的,所述搅拌装置包含搅拌柱与搅拌横板,搅拌横板的顶部安装有四个延伸搅拌板,搅拌柱与搅拌横板均为不锈钢。
优选的,所述控制机体的内部开设有安装仓,安装仓的右侧壁开设有散热孔,控制机体的表面安装有操作键盘,主秤座、搅拌电机、配料秤以及电控阀均与控制机体电连接。
(三)有益效果
与现有技术相比,本实用新型提供了一种半绝缘砷化镓掺碳装置,具备以下有益效果:
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