[实用新型]亚纳米级高精度写场拼接光刻机系统有效
申请号: | 202021078739.1 | 申请日: | 2020-06-11 |
公开(公告)号: | CN212873186U | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 周向前;伊沃·朗格诺 | 申请(专利权)人: | 百及纳米科技(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 广州市一新专利商标事务所有限公司 44220 | 代理人: | 王德祥 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 纳米 高精度 拼接 光刻 系统 | ||
1.一种亚纳米级高精度写场拼接光刻机系统,包括静止放置的机体(31),以及机体里的台面(37),其特征在于所述台面上方设有电子显微镜、至少一台纳米触点传感器(39)及晶圆移动工作台(38);电子显微镜上设有电子束镜筒(32);晶圆工作台(38)上设有用于拖动其前、后和/或左、右和/或上、下移动以及角度变化的数控驱动装置(371)。
2.根据权利要求1所述的亚纳米级高精度写场拼接光刻机系统,其特征在于所述光刻机系统还包括一控制计算机(42),其与一图形发生器(46)、一电子束控制系统(34)及所述晶圆工作台(38)的数控驱动装置(371)相连,所述纳米触点传感器(39)将采集的被测晶圆上的原位对准坐标标识信号和/或电子束漂移信号(40)在控制计算机(42)控制下发送给图形发生器(46),图形发生器(46)在控制计算机(42)控制下将运算处理过的校正后的电子束扫描控制信号发送给电子束控制系统(34),电子束控制系统(34)对电子束镜筒(32)上聚焦系统(33)的光闸以及控制电子束偏转的偏转线圈(35)进行控制。
3.根据权利要求2所述的亚纳米级高精度写场拼接光刻机系统,其特征在于所述电子束镜筒(32)上还设有一个二次电子成像信号采集装置(36),其将采集到的电子束扫描后的二次图像经所述电子束控制系统(34)反馈给所述控制计算机(42)。
4.根据权利要求1、2或3所述的亚纳米级高精度写场拼接光刻机系统,其特征在于所述纳米触点传感器(39)为原子力针尖传感器、隧道电子探针传感器或纳米级表面功函数测量传感器中之一种或多种的组合。
5.根据权利要求4所述的亚纳米级高精度写场拼接光刻机系统,其特征在于所述纳米触点传感器(39)上设有杠杆式感应触臂(391),触臂(391)上设有针尖感应触头(392)。
6.根据权利要求5所述的亚纳米级高精度写场拼接光刻机系统,其特征在于每个所述触臂(391)上设有一个或多个针尖感应触头(392)。
7.根据权利要求5所述的亚纳米级高精度写场拼接光刻机系统,其特征在于每个所述触臂(391)上设有至少一排针尖感应触头,每排设有1个以上数量的针尖感应触头(392)。
8.根据权利要求7所述的亚纳米级高精度写场拼接光刻机系统,其特征在于所述纳米触点传感器(39)设有2排,每排设有4个,2排分列在所述电子束镜筒(32)的两侧。
9.根据权利要求4所述的亚纳米级高精度写场拼接光刻机系统,其特征在于所述电子束镜筒(32)正对所述工作台(38)上晶圆的曝光区(22)。
10.根据权利要求6所述的亚纳米级高精度写场拼接光刻机系统,其特征在于所述电子束镜筒(32)正对所述工作台(38)上晶圆的曝光区(22)。
11.根据权利要求7所述的亚纳米级高精度写场拼接光刻机系统,其特征在于所述电子束镜筒(32)正对所述工作台(38)上晶圆的曝光区(22)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于百及纳米科技(上海)有限公司,未经百及纳米科技(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021078739.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:便于携带式化妆品容器
- 下一篇:一种单肺通气隔离阀