[实用新型]类单晶生长铸锭炉有效
申请号: | 202021130507.6 | 申请日: | 2020-06-17 |
公开(公告)号: | CN212865058U | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 王全志 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司 |
主分类号: | C30B11/00 | 分类号: | C30B11/00 |
代理公司: | 北京景闻知识产权代理有限公司 11742 | 代理人: | 卢春燕 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 类单晶 生长 铸锭 | ||
本实用新型公开了一种类单晶生长铸锭炉,包括炉体、支撑台、加热装置和均温件。支撑台用于支撑炉体,加热装置用于对支撑台加热,热量通过支撑台传递至炉体,均温件与支撑台和炉体中的至少一个连接,以用于将温度均匀传递到炉体的温度。根据本实用新型的类单晶生长铸锭炉,通过在支撑台和炉体中的至少一个上设置均温件,由此可以使温度在多个方向传递,使炉体底部的温场更加均匀,从而可以避免因炉体底部的局部区域温度过高而导致单晶生长过程中出现位错。
技术领域
本实用新型涉及类单晶生长铸锭炉技术领域,尤其是涉及一种类单晶生长铸锭炉。
背景技术
当前类单晶生长铸锭炉采用加热的方式来准确控制类单晶生长铸锭炉的温度。类单晶生长的过程中,位错等缺陷的占比是评价类单晶品质的关键参数,位错的产生与生长与长晶过程中的长晶温度分布有直接关系,温度分布决定了长晶界面,长晶界面决定应力分布,应力是造成位错的直接原因,因此控制长晶过程的温度分布对位错的控制具有直接的关系。但是在实际的铸造类单晶热场中由于底部加热器及底部散热结构的存在,很容易造成温度的分布不均匀,因此极容易造成较多位错的产生。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本实用新型的一个目的在于提出一种类单晶生长铸锭炉。该类单晶生长铸锭炉具有加热均匀的优点。
根据本实用新型的类单晶生长铸锭炉,包括:炉体;支撑台,所述支撑台用于支撑所述炉体;加热装置,所述加热装置用于对所述支撑台加热,热量通过所述支撑台传递至所述炉体;均温件,所述均温件与所述支撑台和所述炉体中的至少一个连接,以用于将温度均匀传递到所述炉体的温度。
根据本实用新型实施例的类单晶生长铸锭炉,通过在支撑台和炉体中的至少一个上设置均温件,由此可以使温度在多个方向传递,使炉体底部的温场更加均匀,从而可以避免因炉体底部的局部区域温度过高而导致单晶生长过程中出现位错。
在一些实施例中,所述均温件铺设于所述支撑台朝向所述炉体的表面。
在一些实施例中,所述均温件嵌设于所述支撑台内部。
在一些实施例中,所述均温件嵌设于所述炉体的底壁内。
在一些实施例中,所述均温件为保温件。
在一些实施例中,所述均温件为碳碳纤维板。
在一些实施例中,所述均温件为碳碳纤维编制层。
在一些实施例中,所述加热装置为加热电路。
在一些实施例中,所述加热电路包括:并联连接第一石墨棒和第二石墨棒,所述第一石墨棒和所述第二石墨棒平行设置,所述炉体与所述第一石墨棒的中部和所述第二石墨棒的中部对应。
在一些实施例中,所述加热电路还包括:石墨块,所述石墨块设于所述第一石墨棒的端部,所述石墨块与所述第一石墨棒和所述第二石墨棒均电连接。
附图说明
本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1是相关技术中炉体底部温度分布曲线;
图2是相关技术中炉体底部类单晶生长状态,其中条纹结构的阴影为类单晶生长过程中出现的位错,其中图中虚线框框出的位置位错现象尤为明显;
图3是根据本实用新型实施例的类单晶生长铸锭炉的均温件的表面纹理结构图;
图4是根据本实用新型实施例的类单晶生长铸锭炉的结构示意图;
图5是根据本实用新型实施例的类单晶生长铸锭炉的加热装置与炉体配合的结构示意图;
图6是根据本实用新型实施例的类单晶生长铸锭炉的炉体底部的温度分布曲线;
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