[实用新型]一种直流配电网装置有效

专利信息
申请号: 202021130870.8 申请日: 2020-06-17
公开(公告)号: CN212412762U 公开(公告)日: 2021-01-26
发明(设计)人: 黄安迪;白浩;周长城;袁智勇;雷金勇;叶琳浩 申请(专利权)人: 南方电网科学研究院有限责任公司;中国南方电网有限责任公司
主分类号: H02J1/12 分类号: H02J1/12;H02M3/335;H02J3/36;H02H7/26
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 杨小红
地址: 510663 广东省广州市萝岗区科*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 直流 配电网 装置
【权利要求书】:

1.一种直流配电网装置,其特征在于,包括受端系统、与所述受端系统连接的双向直流变换电路以及与所述双向直流变换电路连接的直流分布式电源,所述受端系统与所述双向直流变换电路之间还连接有断路器;所述双向直流变换电路包括副边电容、与所述副边电容连接的副边全桥电路、与所述副边全桥电路连接的变压器、与所述变压器连接的电感和原边全桥电路,所述原边全桥电路与所述直流分布式电源连接;

所述副边全桥电路包括四个开关器件,四个所述开关器件分别为第一开关器件、第二开关器件、第三开关器件和第四开关器件,所述第一开关器件的第一端与所述第二开关器件的第二端连接,所述第一开关器件的第二端分别与所述第三开关器件的第二端和所述副边电容的正极连接,所述第三开关器件的第一端与所述第四开关器件的第二端连接,所述第四开关器件的第一端分别与所述第二开关器件的第一端和所述副边电容的负极连接。

2.根据权利要求1所述的直流配电网装置,其特征在于,所述第一开关器件的第一端还与所述变压器副边的第一端连接,所述第三开关器件的第一端还与所述变压器副边的第二端连接。

3.根据权利要求1所述的直流配电网装置,其特征在于,所述原边全桥电路包括四个开关管,四个所述开关管分别为第一开关管、第二开关管、第三开关管和第四开关管,每个所述开关管并联一个半导体器件和一个电容,所述开关管的第一端与所述半导体器件的第二端连接,所述开关管的第二端与所述半导体器件的第一端连接;所述第一开关管的第一端与所述第三开关管的第一端连接并作为所述双向直流变换电路的输入端正极,所述输入端正极与所述直流分布式电源连接;所述第一开关管的第二端与所述第二开关管的第一端连接,所述第三开关管的第二端与所述第四开关管的第一端连接,所述第二开关管的第二端与所述第四开关管的第二端连接并作为所述双向直流变换电路的输入端负极,所述输入端负极与所述直流分布式电源连接。

4.根据权利要求3所述的直流配电网装置,其特征在于,所述第一开关管的第二端与所述电感的第一端连接,所述电感的第二端与所述变压器原边的第一端连接,所述第三开关管的第二端与所述变压器原边的第二端连接。

5.根据权利要求3或4所述的直流配电网装置,其特征在于,所述开关管为晶体管,所述开关管的第一端为晶体管的集电极,所述开关管的第二端为晶体管的发射极;

或所述开关管为IGBT,所述开关管的第一端为IGBT的集电极,所述开关管的第二端为IGBT的发射极;

或所述开关管为MOSFET,所述开关管的第一端为MOSFET的源极,所述开关管的第二端为MOSFET的漏极;

或所述开关管为可控晶闸管,所述开关管的第一端为可控晶闸管的阳极,所述开关管的第二端为可控晶闸管的阴极。

6.根据权利要求3或4所述的直流配电网装置,其特征在于,所述半导体器件为二极管,所述半导体器件的第一端为二极管的阳极,所述半导体器件的第二端为二极管的阴极。

7.根据权利要求1所述的直流配电网装置,其特征在于,所述受端系统包括变电站和与所述变电站连接的电压源换流器,所述电压源换流器还与所述断路器连接。

8.根据权利要求1所述的直流配电网装置,其特征在于,所述受端系统通过第一断路器与所述副边电容的正极连接,所述受端系统通过第二断路器与所述副边电容的负极连接。

9.根据权利要求1所述的直流配电网装置,其特征在于,所述开关器件为二极管,所述开关器件的第一端为二极管的阳极,所述开关器件的第二端为二极管的阴极;

或所述开关器件为可控晶闸管,所述开关器件的第一端为可控晶闸管的阳极,所述开关器件的第二端为可控晶闸管的阴极;

或所述开关器件为IGBT,所述开关器件的第一端为IGBT的集电极,所述开关器件的第二端为IGBT的发射极;

或所述开关器件为MOSFET,所述开关器件的第一端为MOSFET的源极,所述开关器件的第二端为MOSFET的漏极。

10.根据权利要求1所述的直流配电网装置,其特征在于,所述变压器原边与副边的变压比为n:1,n为正整数。

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