[实用新型]一种二维AlN/GaN HEMT射频器件有效
| 申请号： | 202021131507.8 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN212380426U | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 李国强;孙佩椰;王文樑 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 王东东 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二维 aln gan hemt 射频 器件 | ||
1.一种二维AlN/GaN HEMT射频器件，其特征在于，包括衬底、GaN沟道层、二维AlN势垒层、SiNX钝化层、漏金属电极、源金属电极和栅金属电极，其中：
所述衬底、GaN沟道层和二维AlN势垒层由下至上依次层叠；
所述SiNX钝化层覆盖在除源金属电极、漏金属电极及栅金属电极区域外的二维AlN势垒层上表面区域；
所述漏金属电极和源金属电极分别位于二维AlN势垒层上未被SiNX钝化层覆盖的两侧区域，漏金属电极和源金属电极与二维AlN势垒层之间形成欧姆接触；
所述栅金属电极位于二维AlN势垒层的中间区域，栅金属电极与二维AlN势垒层之间形成肖特基接触；
所述二维AlN势垒层的厚度为3～5nm。
2.根据权利要求1所述的一种二维AlN/GaN HEMT射频器件，其特征在于，所述栅金属电极为T型栅，栅长为50～200nm。
3.根据权利要求1所述的一种二维AlN/GaN HEMT射频器件，其特征在于，所述GaN沟道层的厚度为1～5μm。
4.根据权利要求1所述的一种二维AlN/GaN HEMT射频器件，其特征在于，所述SiNX钝化层的厚度为50～100nm。
5.根据权利要求1所述的一种二维AlN/GaN HEMT射频器件，其特征在于，所述漏金属电极和源金属电极由Ti、Al、Ni和Au四层金属组成。
6.根据权利要求1所述的一种二维AlN/GaN HEMT射频器件，其特征在于，所述栅金属电极由Ni和Au两层金属组成。
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