[实用新型]一种使用MOSFET控制外部输出的控制电路及开关电源

权利要求书

1.一种使用MOSFET控制外部输出的控制电路，其特征在于，包括：输入电路、开关隔离电路、输出采样电路、控制电路以及控制单元；

所述输入电路、所述开关隔离电路、所述输出采样电路依次设置在输入信号与负载之间，所述控制单元分别与所述控制电路和所述输出采样电路连接，所述控制电路与所述开关隔离电路连接；

所述输出采样电路对输出信号进行采样并输出采样信号至所述控制单元，所述控制单元接收所述采样信号并在所述采样信号达到阈值时输出控制信号至所述控制电路，以控制所述控制电路控制所述开关隔离电路的工作状态，以关闭开关电源的辅助输出。

2.根据权利要求1所述的使用MOSFET控制外部输出的控制电路，其特征在于，所述开关隔离电路包括开关电路和隔离电路；

所述开关电路的输入端与所述输入电路连接，所述开关电路的输出端与所述隔离电路的输入端连接，所述隔离电路的输出端与所述输出采样电路连接，所述开关电路的控制端和所述隔离电路的控制端分别连接所述控制电路。

3.根据权利要求2所述的使用MOSFET控制外部输出的控制电路，其特征在于，所述控制电路包括：开关控制电路和隔离控制电路；

所述开关控制电路一端与所述控制单元连接，另一端与所述开关电路的控制端连接；

所述隔离控制电路与所述隔离电路的控制端连接。

4.根据权利要求3所述的使用MOSFET控制外部输出的控制电路，其特征在于，所述开关电路包括：第一MOS管；

所述第一MOS管的漏极与所述输入电路的输出端连接，所述第一MOS管源极与所述隔离电路的输入端连接，所述第一MOS管的栅极与所述开关控制电路连接；

所述第一MOS管的漏极为所述开关电路的输入端，所述第一MOS管的源极为所述开关电路的输出端，所述第一MOS管的栅极为所述开关电路的控制端。

5.根据权利要求4所述的使用MOSFET控制外部输出的控制电路，其特征在于，所述开关控制电路包括：第三MOS管、第九电阻、第六电阻、第八电容和第十二电阻；

所述第三MOS管的漏极与所述第一MOS管的栅极连接，所述第三MOS管的源极接地，所述第三MOS管的栅极通过所述第九电阻与所述控制单元连接；

所述第十二电阻的第一端与所述第三MOS管的栅极连接，第十二电阻的第二端接地；

所述第八电容的第一端与所述第十二电阻的第一端连接，所述第八电容的第二端接地；所述第六电阻的第一端与所述第一MOS管的栅极连接，所述第六电阻的第二端与所述隔离控制电路连接。

6.根据权利要求3所述的使用MOSFET控制外部输出的控制电路，其特征在于，所述隔离电路包括：第二MOS管；

所述第二MOS管的源极与所述开关电路的输出端连接，所述第二MOS管的漏极与所述输出采样电路的输入端连接，所述第二MOS管的栅极与所述隔离控制电路连接；

所述第二MOS管的源极为所述隔离电路的输入端，所述第二MOS管的漏极为所述隔离电路的输出端，所述第二MOS管的栅极为所述隔离电路的控制端。

7.根据权利要求6所述的使用MOSFET控制外部输出的控制电路，其特征在于，所述隔离控制电路包括：第五三极管、第八电阻、第十电阻、第四二极管；

所述第八电阻的第一端连接所述开关控制电路，所述第八电阻的第二端连接所述第五三极管的第四端，所述第十电阻的第一端连接所述第八电阻的第一端和所述第四二极管的阴极，所述第十电阻的第二端连接所述第二MOS管的栅极和所述第四二极管的阳极，所述第四二极管的阴极还连接供电电压；

所述第五三极管的第一端连接所述第二MOS管的源极，所述第五三极管的第六端连接所述第四二极管的阳极，所述第五三极管的第三端连接所述输出采样电路。

8.根据权利要求1所述的使用MOSFET控制外部输出的控制电路，其特征在于，还包括：

与所述输入电路和所述控制单元连接的DC-DC转换电路。