[实用新型]一种NBIOT智能水表

权利要求书

1.一种NBIOT智能水表，包括单片机和电机开关阀控制电路，其特征在于，还包括NBIOT通信电路和读卡电路，所述NBIOT通信电路、读卡电路和电机开关阀控制电路分别与单片机连接，所述NBIOT通信电路包括SIM卡和SIM7020C芯片，所述SIM卡连接至SIM7020C芯片的SIM卡通信端口，所述读卡电路包括电感线圈、射频驱动电路、检波电路、波形整形电路和反相器，所述电感线圈与外部射频卡接触，所述射频驱动电路连接电感线圈，所述检波电路接收电感线圈返回的信号，所述检波电路连接波形整形电路，所述波形整形电路连接反相器，所述反相器的输出信号接入单片机，所述检波电路和波形整形电路间还连接有信号检测电路，所述信号检测电路连接至单片机，所述波形整形电路包括LM358芯片和参考电压产生电路，所述参考电压产生电路受单片机控制。

2.根据权利要求1所述的一种NBIOT智能水表，其特征在于，所述NBIOT智能水表采用外接电池供电，所述外接电池通过接线端子P1连接至VBAT，所述VBAT连接P沟道MOS管Q11的D极，所述P沟道MOS管Q11的G极连接单片机，所述P沟道MOS管Q11的S极连接VCC，所述P沟道MOS管Q11的S极经过并联在一起的电解电容C12、电容C13和电容C14后接地。

3.根据权利要求2所述的一种NBIOT智能水表，其特征在于，所述参考电压产生电路包括PNP型三极管Q3，所述PNP型三极管Q3的B极经过电阻R12后接入单片机，所述PNP型三极管Q3的E极连接VCC，所述PNP型三极管Q3的C极经过电容C7后接地，所述PNP型三极管Q3的C极还连接IC_VCC，所述IC_VCC经过电阻R11后连接IC_VREF，所述IC_VREF经过并联的电阻R15和电容C6后接地，所述LM358芯片的引脚8连接IC_VCC，所述LM358芯片的引脚3和引脚5连接IC_VREF。

4.根据权利要求3所述的一种NBIOT智能水表，其特征在于，所述射频驱动电路包括NPN型三极管Q2和PNP型三极管Q4，所述VCC连接NPN型三极管Q2的C极，所述NPN型三极管Q2的E极依次经过串联的电阻R13和电阻R17后连接至PNP型三极管Q4的E极，所述PNP型三极管Q4的C极接地，所述PNP型三极管Q4的B极与NPN型三极管Q2的B极连接后经过电阻R16接入单片机，所述电感线圈一端通过接线端子J1连接至电阻R13和电阻R17之间，另一端通过接线端子J1接入检波电路，所述电感线圈的另一端还经过电容C3后接地。

5.根据权利要求4所述的一种NBIOT智能水表，其特征在于，所述检波电路包括二极管D1，所述信号检测电路包括电阻R10、电阻R14、电容C8和稳压二极管DZ1，所述电感线圈的另一端通过接线端子J1连接二极管D1的正极，所述二极管D1的负极经过电容C4后接地，所述电容C4并联有电阻R9，所述二极管D1的负极串联电阻R10后接入单片机，所述二极管D1的负极串联电阻R10后，还经过并联的电阻R14、电容C8和稳压二极管DZ1后接地。

6.根据权利要求5所述的一种NBIOT智能水表，其特征在于，所述二极管D1的负极依次经过串联的电阻R5、电容C2和电阻R6后连接至LM358芯片的引脚2，所述电阻R5和电容C2间连接电容C5后接地，所述LM358芯片的引脚1和引脚2间连接有电阻R2，所述LM358芯片的引脚1经过电阻R7后接入引脚6，所述LM358芯片的引脚6和引脚7间连接有电阻R3，所述LM358芯片的引脚7经过电阻R8后接入反相器，所述LM358芯片的引脚4接地。

7.根据权利要求6所述的一种NBIOT智能水表，其特征在于，所述反相器包括NPN型三极管Q1，所述LM358芯片的引脚7经过电阻R8后接入NPN型三极管Q1的B极，所述NPN型三极管Q1的E极接地，所述IC_VCC经过电阻R4后连接NPN型三极管Q1的C极，所述NPN型三极管Q1的C极接入单片机。