[实用新型]半导体设备

说明书

本公开的实施例涉及半导体设备。该半导体设备包括：引线框架，具有裸片焊盘区域；增强层，被设置在引线框架上，增强层被配置成抵消设备封装分层，其中引线框架的裸片焊盘区域的一部分不具有增强层；半导体裸片，经由软焊料裸片附接材料附接到裸片焊盘区域上，软焊料裸片附接材料在裸片焊盘区域的、不具有增强层的一部分处；以及封装材料的设备封装，模制到附接到引线框架的裸片焊盘区域上的半导体裸片上。本公开的实施例可以促进软焊料裸片的附接，并且获得令人满意的封装分层性能。

技术领域

本说明书涉及半导体设备。

背景技术

为封装的半导体设备提供对封装分层的改进的抗性表示制造半导体设备(例如，用于汽车领域)的发展趋势。

提供这种期望特征的方法涉及形成与封装模制化合物(例如，环氧模制化合物)具有增加的亲和力的所谓的增强层。

注意，这种增强层可能会负面地影响例如经由软焊料将半导体裸片附接在引线框架的裸片焊盘区域上的过程。

已经尝试通过修改软焊料裸片附接参数(高温、高的空气形成气体流量等)来解决该问题，而没有发现出现明显的改进。

实用新型内容

为了解决现有技术中存在的全部或部分问题，本公开提供了一种半导体设备。

在第一方面，提供了一种半导体设备，该半导体设备包括：引线框架，具有裸片焊盘区域；增强层，被设置在引线框架上，增强层被配置成抵消设备封装分层，其中引线框架的裸片焊盘区域的一部分不具有增强层；半导体裸片，经由软焊料裸片附接材料附接到裸片焊盘区域上，软焊料裸片附接材料在裸片焊盘区域的、不具有增强层的一部分处；以及封装材料的设备封装，模制到附接到引线框架的裸片焊盘区域上的半导体裸片上。

根据一个实施例，引线框架的裸片焊盘区域的一部分具有被软焊料裸片附接材料润湿的粗糙表面。

根据一个实施例，引线框架包括第一金属材料；以及第二金属材料的层，其中增强层包括第二金属材料的经处理的层。

根据一个实施例，第一金属材料是铜；并且第二金属材料是银。

根据一个实施例，引线框架的所有的裸片焊盘区域都不具有增强层。

通过上述实施例，可以促进软焊料裸片的附接，并且获得令人满意的封装分层性能。

附图说明

现在将参考附图，仅通过示例的方式描述一个或多个实施例，其中：

-图1是适于根据实施例制造的半导体设备的示例性表示，

-图2是实施例中的可能动作的示例，并且

-图3基本上对应于以放大比例再现的沿图2中的线III-III的截面图。

具体实施方式

一个或多个实施例可以涉及一种半导体设备(例如，集成电路)。

一个或多个实施例可以涉及增强层经由激光束烧蚀的(选择性)去除，以便恢复下面的材料(例如，银)的润湿性，这促进软焊料裸片的附接。

一个或多个实施例可依赖于以下认识：提供增强层的当前方法是通过处理在引线框架的基本金属材料(例如，铜)上提供的银层(银点)。发现这种增强层(氧化银)的激光烧蚀产生了以(进一步)促进软焊料裸片附接的方式修改(熔化和/或精制)的“清洁”表面。

在随后的描述中，说明了一个或多个特定细节，其旨在提供对实施例的示例的深入理解。可以在没有一个或多个特定细节的情况下，或者利用其他方法、组件、材料等来获得实施例。在其他情况下，没有详细图示或描述已知的结构、材料或操作，以便实施例的某些方面将不被模糊。