[实用新型]一种三相缺相保护兼漏电断路器

权利要求书

1.一种三相缺相保护兼漏电断路器，其特征在于：包括电流检测电路(1)、电平发生电路(2)以及三极管开关电路(3)，所述电流检测电路(1)包括零序互感器ZCT、电阻R8、电阻R9、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、有极性电容C9和控制芯片U1，所述零序互感器ZCT与三相电连接，所述零序互感器ZCT的一端与控制芯片U1的1号管脚串联，所述零序互感器ZCT的另一端通过串联电阻R9与控制芯片U1的2号管脚串联，所述零序互感器ZCT的两端上并联有电阻R8，所述控制芯片U1的2号管脚通过依次串联电阻R9、电容C3、电容C4、有极性电容C9与控制芯片U1的8号管脚连接，所述有极性电容C9的阳极与控制芯片U1的8号管脚连接，所述控制芯片U1的6号管脚通过串联电容C5与控制芯片U1的7号管脚连接，所述控制芯片U1的4号管脚和5号管脚均通过电容C6接地设置，所述控制芯片U1的3号管脚接地设置。

2.根据权利要求1所述的一种三相缺相保护兼漏电断路器，其特征在于：所述电平发生电路(2)包括可控硅SCR1、可控硅SCR2、脱扣器L1、二极管D7、二极管D8、电阻R1、电阻R2、电阻R6、电容C1和电容C2，所述脱扣器L1的一端与可控硅SCR1的阳极A串联，所述可控硅SCR1的阳极A与二极管D7的阳极串联，所述二极管D7与脱扣器L1并联设置，所述可控硅SCR1的阳极A通过依次串联的电阻R1和电阻R2接地设置，所述可控硅SCR1的控制极G与二极管D8的阴极串联，所述可控硅SCR1的阴极K通过串联电容C1与二极管D8的阴极连接，所述可控硅SCR1的阴极K与可控硅SCR2的阳极A串联，所述电阻R1与电阻R2连接的一端与可控硅SCR2的阳极A串联，所述可控硅SCR2的控制极G通过串联电阻R6与二极管D8的阳极串联，所述可控硅SCR2的控制极G通过串联电容C2接地设置。

3.根据权利要求2所述的一种三相缺相保护兼漏电断路器，其特征在于：所述二极管D7的阴极分别与二极管D2的阴极、二极管D4的阴极和二极管D6的阴极串联，所述二极管D2的阳极串联有二极管D1的阴极，所述二极管D4的阳极串联有二极管D3的阴极，所述二极管D6的阳极串联有二极管D5的阴极，所述二极管D2的阳极、二极管D4的阳极和二极管D6的阳极分别与三相电的A相、B相和C相连接，所述二极管D1的阳极、二极管D3的阳极和二极管D5的阳极均接地设置，所述脱扣器L1与二极管D7阴极连接的一端通过串联压敏电阻器RV1接地设置。

4.根据权利要求1或3所述的一种三相缺相保护兼漏电断路器，其特征在于：所述三极管开关电路(3)包括三极管Q1、集电极稳压管Z1、基极稳压管Z2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R7、有极性电容C7、有极性电容C8、二极管D9和电位器RP1，所述三极管Q1的集电极c通过依次串联电阻R5、电阻R4与二极管D7的阴极连接，所述电阻R5与电阻R4连接的一端与控制芯片U1的8号管脚串联，所述三极管Q1的基极b与基极稳压管Z2的阳极串联，所述基极稳压管Z2的阴极与有极性电容C8的阳极串联，所述有极性电容C8的阴极接地设置，所述基极稳压管Z2的阴极通过电位器RP1接地设置，所述基极稳压管Z2的阴极通过串联电阻R3与二极管D7的阴极连接，所述三极管Q1的发射极e接地设置，所述三极管Q1的集电极c和发射极e间分别并联有电阻R7和有极性电容C7，所述有极性电容C7的阴极接地设置，所述三极管Q1的集电极c与集电极稳压管Z1的阴极串联，所述集电极稳压管Z1的阳极与二极管D9的阳极串联，所述二极管D9的阴极与控制芯片U1的4号管脚连接。

5.根据权利要求1所述的一种三相缺相保护兼漏电断路器，其特征在于：所述三相电为380V，50HZ的交流电。

6.根据权利要求1所述的一种三相缺相保护兼漏电断路器，其特征在于：所述控制芯片U1内部集成设有稳压器、差分放大器以及闩锁电路。