[实用新型]去耦装置及多端口基站天线

说明书

一种去耦装置及多端口基站天线，其中所述去耦装置包括至少一介质基板，所述介质基板设置在辐射单元上方，所述介质基板与辐射单元的距离在0.2λ_c～0.3λ_c之间，其中λ_c为所述辐射单元中心频率在空气中传输时对应的波长，上述去耦装置及多端口基站天线，结构简单，辐射阵列间具有更低的互耦和更高的隔离度，天线的增益也得到了有效改善。

技术领域

本申请涉及无线通信技术领域，尤其涉及一种去耦装置及多端口基站天线。

背景技术

基站天线很大程度上决定了无线通信的质量，在移动通信系统中扮演着关键角色。近年来，由于用户需求的猛增及站址资源日益紧张，基站天线向着小型化、多频多端口方向发展，不仅导致了天线设计难度的加大，也导致了天线的体积和重量增加，进而对天线的支架强度、安装工艺和信号塔的承载能力提出了更高的要求。

随着基站天线小型化的要求逐步提高，相邻阵列的间距也随之缩小，这样会带来阵列耦合变大、水平面波瓣宽度增加及隔离度变差的问题，造成扇区间信号干扰程度变大。为了使天线性能仍满足指标要求，通常基站天线厂家会通过将直线阵的辐射单元排布方式改为非直线阵，以使得水平面3dB波瓣宽度能降低到65°附近，然后在阵列间加入若干的金属隔离条以达到阵列间隔离度能达到运营商的要求。虽然这种方法可有效降低水平面3dB瓣宽，但会造成天线增益降低、水平面方向图变形的问题，而且天线的隔离度指标调试难度大、耗时长。

实用新型内容

有鉴于此，有必要降低基站天线中辐射阵列间的互耦，提供一种去耦装置及多端口基站天线。

本申请一实施方式中提供一种去耦装置，包括至少一介质基板，所述介质基板设置在辐射单元上方，所述介质基板与辐射单元的距离在0.2λ_c～0.3λ_c之间，其中λ_c为所述辐射单元中心频率在空气中传输时对应的波长。

在本申请的一些实施例中，所述去耦装置包括两层所述介质基板，分别为第一介质基板和第二介质基板，所述第一介质基板与所述第二介质基板间隔设置。

在本申请的一些实施例中，所述第一介质基板及所述第二介质基板与所述辐射单元的距离在0.25λ_c～0.3λ_c之间。

在本申请的一些实施例中，所述介质基板的长和宽需要使所述介质基板能覆盖整个所述去耦装置及多端口基站天线的辐射面。

在本申请的一些实施例中，所述去耦装置包括两层或两层以上的介质基板时，所述介质基板贴合在一起。

在本申请的一些实施例中，所述去耦装置包括两层以上的介质基板时，所述介质基板相互分开。

在本申请的一些实施例中，所述去耦装置包括两层以上的介质基板时，部分所述介质基板相互贴合，部分所述介质基板相互分开。

在本申请的一些实施例中，所述去耦装置通过塑料螺柱固定在反射板上。

在本申请的一些实施例中，所述介质基板为矩形。

本申请的实施例还提供一种多端口基站天线，包括反射板、若干隔离条、若干辐射阵列和上述的去耦装置，所述隔离条设置在所述辐射阵列之间，

上述去耦装置及多端口基站天线中，所述去耦装置包括至少一介质基板，结构简单，辐射阵列间具有更低的互耦和更高的隔离度，天线的增益也得到了有效改善。

附图说明

图1为本申请一实施例中的去耦装置的结构示意图。

图2为本申请一实施例中的去耦装置的工作原理图。

图3为本申请一实施例中的加介质基板前后的水平面方向电平值对比