[实用新型]一种SiC MOSFET模块陶瓷覆铜板结构有效
| 申请号： | 202021151093.5 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN212485324U | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 谌容 | 申请（专利权）人： | 南京晟芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/367 |
| 代理公司： | 南京常青藤知识产权代理有限公司 32286 | 代理人： | 史慧敏 |
| 地址： | 211100 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 模块 陶瓷 铜板 结构 | ||
1.一种SiC MOSFET模块陶瓷覆铜板结构，包括底板、上桥臂、下桥臂、连桥、铝线，底板中部垂直交叉均匀设有多个焊接区域，其特征在于：上桥臂包括同侧设立的第一覆铜陶瓷基板、第三覆铜陶瓷基板和设于底板边缘中上部的第六覆铜陶瓷基板且信号端外露，下桥臂包括设于另一侧的第二覆铜陶瓷基板、第四覆铜陶瓷基板和设于底板边缘中下部的第五覆铜陶瓷基板且信号端外露，第一覆铜陶瓷基板、第二覆铜陶瓷基板、第三覆铜陶瓷基板与第四覆铜陶瓷基板呈田字形均匀设于焊接区域上；每个覆铜陶瓷基板上均设有芯片焊接区和多个栅极电阻，芯片焊接区上通过铝线串联连接有SiC MOSFET芯片和SiC SBD芯片，SiCMOSFET芯片的栅极串联所述栅极电阻后连接所在焊接区域的覆铜陶瓷基板的信号端。
2.根据权利要求1所述的SiC MOSFET模块陶瓷覆铜板结构，其特征在于：第一覆铜陶瓷基板和第三覆铜陶瓷基板所在焊接区域的多个SiC MOSFET芯片和多个SiC SBD芯片分别对应并联连接，第二覆铜陶瓷基板和第四覆铜陶瓷基板所在焊接区域的多个SiC MOSFET芯片和多个SiC SBD芯片分别对应并联连接。
3.根据权利要求1所述的SiC MOSFET模块陶瓷覆铜板结构，其特征在于：上桥臂和下桥臂呈轴对称设于底板上使第六覆铜陶瓷基板和第五覆铜陶瓷基板的信号端布线路径均相同。
4.根据权利要求1所述的SiC MOSFET模块陶瓷覆铜板结构，其特征在于：第一覆铜陶瓷基板与第二覆铜陶瓷基板、第三覆铜陶瓷基板板与第四覆铜陶瓷基板板之间均通过连桥固定连接。
5.根据权利要求1所述的SiC MOSFET模块陶瓷覆铜板结构，其特征在于：芯片焊接区上设有阻焊框且多个阻焊框分别与横轴、竖轴均呈轴对称设立。
6.根据权利要求1所述的SiC MOSFET模块陶瓷覆铜板结构，其特征在于：连桥采用铜材质。
7.根据权利要求1所述的SiC MOSFET模块陶瓷覆铜板结构，其特征在于：SiC MOSFET芯片和SiC SBD芯片采用焊接方式设于芯片焊接区上。
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