[实用新型]去除晶圆表面汞残留处理装置有效
| 申请号： | 202021152546.6 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN212342579U | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 黄敏;陈蛟;杨军伟;宋华平;简基康;王文军;陈小龙 | 申请（专利权）人： | 松山湖材料实验室 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B01D53/64;B01D53/82;B01D46/30 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 刘晓敏 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 去除 表面 残留 处理 装置 | ||
1.一种去除晶圆表面汞残留处理装置，其特征在于，其包括:
加热腔体，该加热腔体内设有用来放置晶圆的放置位；
设置在所述加热腔体上的进气通道和排气通道；
以及连接在所述排气通道的汞蒸气反应过滤系统。
2.根据权利要求1所述的去除晶圆表面汞残留处理装置，其特征在于：所述放置位上设有晶片基座。
3.根据权利要求1所述的去除晶圆表面汞残留处理装置，其特征在于：于所述加热腔体的旁边位置设有能对其进行热传递加热、感应加热或热辐射加热的加热装置。
4.根据权利要求1所述的去除晶圆表面汞残留处理装置，其特征在于：所述进气通道位于加热腔体的下部位置，且该进气通道的出气口端朝向所述晶圆。
5.根据权利要求4所述的去除晶圆表面汞残留处理装置，其特征在于：所述进气通道的数量为两根，对称设置在所述加热腔体的下部两侧位置。
6.根据权利要求1所述的去除晶圆表面汞残留处理装置，其特征在于：所述排气通道的一端伸入所述加热腔体内，且呈逐渐增大状形成喇叭口。
7.根据权利要求1所述的去除晶圆表面汞残留处理装置，其特征在于：所述汞蒸气反应过滤系统的出气端与抽气泵相连接。
8.根据权利要求1或7所述的去除晶圆表面汞残留处理装置，其特征在于：所述汞蒸气反应过滤系统包括外筒壳、内腔体和改性活性炭颗粒，所述外筒壳套设在内腔体上，且形成夹层空间，该夹层空间通入冷却循环水，所述改性活性炭颗粒位于内腔体内，该内腔体设有与所述排气通道相对接的接口。
9.根据权利要求8所述的去除晶圆表面汞残留处理装置，其特征在于：所述内腔体的出气端的尺寸较小，另一端呈逐渐增大状。
10.根据权利要求8所述的去除晶圆表面汞残留处理装置，其特征在于：所述改性活性炭颗粒为含碘活性炭颗粒、含硫活性炭颗粒或含FeCl3活性炭颗粒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
