[实用新型]基于热敏电阻的温度保护电路

说明书

本实用新型涉及一种基于热敏电阻的温度保护电路。该温度保护电路包括比较电路、保护滞后电路和通断控制电路，通断控制电路的第一输出端或通断控制电路的第二输出端中的任意一端与外部电源的正极相连，通断控制电路的第三输出端与比较电路的第一输入端相连，比较电路的第二输入端与保护滞后电路的输出端相连，比较电路的输出端分别与保护滞后电路的输入端、通断控制电路的输入端相连。本申请提供的基于热敏电阻的温度保护电路相比于传统的温度开关保护电路，能实现温度保护值和温度保护恢复值的调节，同时还可实现电流通断能力的调节，使用方便，成本较低。

技术领域

本实用新型涉及温度保护技术领域，特别是涉及一种基于热敏电阻的温度保护电路。

背景技术

通常，具有温度保护的电源大多数是通过温度开关来实现温度保护的。然而，传统的普通温度开关是利用金属片的温度特性来实现温度控制，其温度点不易调节，针对不同的温度点需要定做；同时该温度开关的温度控制精度差，保护温度误差一般在±5℃，而恢复温度误差在±10℃。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种温度保护值和温度保护恢复值可调节、控制精度更高的基于热敏电阻的温度保护电路。

为实现本实用新型的目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种基于热敏电阻的温度保护电路，包括比较电路、保护滞后电路和通断控制电路，所述通断控制电路的第一输出端或所述通断控制电路的第二输出端中的任意一端与外部电源的正极相连，所述通断控制电路的第三输出端与所述比较电路的第一输入端相连，所述比较电路的第二输入端与所述保护滞后电路的输出端相连，所述比较电路的输出端分别与所述保护滞后电路的输入端、所述通断控制电路的输入端相连。

在其中一个实施例中，所述比较电路包括比较器U1A、热敏电阻RT1、电阻R1、电阻R2和电阻R4，所述比较器U1A的正相输入端分别与热敏电阻RT1的一端、所述电阻R1的一端相连；所述比较器U1A的反相输入端分别与所述电阻R2的一端、所述电阻R4的一端相连，所述电阻R4的另一端与所述电阻R1的另一端相连，所述热敏电阻RT1的另一端接地。

在其中一个实施例中，所述比较电路还包括保护延时电路，所述保护延时电路包括电容C2、电阻R5和电阻R6，所述比较器U1A的输出端与所述电阻R5的一端相连，所述电阻R5的另一端分别与所述电容C2的一端、所述电阻R6的一端相连，所述电容C2的另一端和所述电阻R6的另一端均接地。

在其中一个实施例中，所述通断控制电路包括MOS管M1A、MOS管M1B、MOS管M3、电阻R7、电阻R8和电阻R9，所述MOS管M1A的漏极或所述MOS管M1B的漏极中的任意一端与外部电源的正极相连，所述MOS管M1A的源极分别与所述电阻R1的另一端、所述电阻R8的一端、所述电阻R9的一端、所述MOS管M1B的源极相连，所述MOS管M1A的栅极分别与所述MOS管M1B的栅极、所述电阻R8的另一端、所述电阻R7的一端相连；所述电阻R7的另一端与所述MOS管M3的漏极相连，所述MOS管M3的栅极分别与所述电阻R5的另一端、所述电阻R9的另一端相连，所述MOS管M3的源极接地。

在其中一个实施例中，所述通断保护电路还包括二极管D1，所述二极管D1的负极与所述MOS管M3的栅极相连，所述二极管D1的正极接地。

在其中一个实施例中，所述保护滞后电路包括MOS管M2和电阻R3，所述电阻R3的一端分别与所述电阻R2的另一端、所述MOS管M2的漏极相连，所述MOS管M2的栅极与所述MOS管M3的栅极相连，所述电阻R3的另一端和所述MOS管M2的源极均接地。

在其中一个实施例中，所述比较器U1A采用型号为LM321的比较器，所述热敏电阻RT1采用阻值为100K的热敏电阻。

在其中一个实施例中，所述MOS管M1A和所述MOS管M1B均采用型号为BSS84的MOS管。