[实用新型]一种EMMC及智能终端有效

专利信息
申请号: 202021162923.4 申请日: 2020-06-19
公开(公告)号: CN212208921U 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 易科臣 申请(专利权)人: 深圳康佳电子科技有限公司
主分类号: G11C7/16 分类号: G11C7/16;H04N21/426
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 温宏梅;徐凯凯
地址: 518000 广东省深圳市南山区粤*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 emmc 智能 终端
【说明书】:

本实用新型公开了一种EMMC及智能终端,其中,包括:EMMC本体、设置在所述EMMC本体内的3D TLC NAND FLASH以及设置在所述EMMC本体内并与所述3D TLC NAND FLASH相连接的,用于控制读取3D TLC NAND FLASH上存储的信息的pSLC模式控制器。本实用新型实施例中的EMMC采用内置pSLC模式控制器和3D TLC NAND FLASH,实现了与采用MLC NAND FLASH的EMMC同等的擦写次数。本实用新型提供的EMMC实现了与采用MLC NAND FLASH的EMMC同等的擦写次数,在与其使用寿命基本一致的情况下,降低了Flash的物料成本。

技术领域

本实用新型涉及电子产品技术领域,特别涉及一种EMMC及智能终端。

背景技术

随着智能电视及物联网的发展,电视机所需存储的数据量逐渐增大,所需EMMC(Embedded Multi Media Card,嵌入式多媒体控制器,是指由闪存和集成在同一硅片上的闪存控制器组成的封装)的容量增大,成本也就成倍上升。

闪存颗粒包括常见的SLC(Single-Level Cell)颗粒、MLC(Multi-Level Cell)颗粒或TLC(Triple-Level Cell)颗粒;其中,SLC颗粒中的1个存储器储存单元可存放1bit的数据;MLC颗粒的1个存储器储存单元可存放2bit的数据;TLC颗粒的1个存储器储存单元可存放3bit的数据。

现有的EMMC中内置的TLC NAND FLASH(Flash存储器的一种)的成本相对于MLCNAND FLASH的成本更低,但是其可擦写次数仅为MLC NAND FLASH的十分之一左右,因此TLCNAND FLASH的使用寿命较短,难以应用于电视机产品当中。

因而现有技术还有待改进和提高。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的不足之处,本实用新型的目的在于提供一种EMMC及智能终端,旨在解决现有技术中TLC NAND FLASH擦写次数较少造成的使用寿命短的问题。

本实用新型的技术方案如下:

一种EMMC,包括:EMMC本体、设置在所述EMMC本体内的3D TLC NANDFLASH以及设置在所述EMMC本体内并与所述3D TLC NAND FLASH相连接的,用于控制读取3D TLC NANDFLASH上存储的信息的pSLC模式控制器。

可选地,所述的EMMC中,所述3D TLC NAND FLASH为纵向多层单元闪存。

可选地,所述的EMMC中,所述pSLC模式控制器为准单层单元模式的NAND FLASH控制装置。

基于同样的发明构思,本申请还提供一种智能终端,包括智能终端本体,其中,所述智能终端本体上设置有上述的EMMC,所述智能终端本体上还设置有,与所述EMMC相连接的外围电路、分别与所述EMMC和外围电路相连接的主控芯片以及分别与所述主控芯片相连接的显示面板和音箱;所述EMMC包括:EMMC本体、设置在所述EMMC本体内的3D TLC NANDFLASH以及设置在所述EMMC本体内并与所述3D TLC NAND FLASH相连接的,用于控制读取3DTLC NAND FLASH上存储的信息的pSLC模式控制器。

可选地,所述的智能终端中,所述3D TLC NAND FLASH为纵向多层单元闪存。

可选地,所述的智能终端中,所述pSLC模式控制器为准单层单元模式的NANDFLASH控制装置。

可选地,所述的智能终端中,所述智能终端为电视机、机顶盒或电视盒子。

可选地,所述的智能终端中,所述主控芯片的型号为RTD2852。

本实用新型所采用的技术方案具有以下有益效果:

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