[实用新型]一种氮化铝陶瓷基板的高效抛光设备

说明书

本实用新型提供一种氮化铝陶瓷基板的高效抛光设备，包括壳体，壳体的内部上端固定安装有抛光室，抛光室的下端滑动安装有收料室，壳体的底侧外表面四角位置均固定安装有支撑架，支撑架的底侧外表面均固定安装有底座，底座的底侧表面面积大于支撑架的底侧表面面积，抛光室的底侧内表面滑动安装有固定架，固定架的左侧外表面中央位置固定安装有固定架拉手，固定架的顶侧外表面左端前侧和左端后侧均活动安装有第一活动件。本实用新型可以起到方便固定基板、便于对不同高度的基板进行调节抛光、双面抛光、降低了抛光过程中所可能产生的偏差、方便了抛光操作人员的使用和保证了最终的氮化铝陶瓷基板的抛光质量的作用。

技术领域

本实用新型涉及氮化铝陶瓷基板加工设备技术领域，具体是一种氮化铝陶瓷基板的高效抛光设备。

背景技术

在2025中国制造的大背景下，我国半导体行业也迎来了强势的增长，在混合微电子领域中，广泛使用电气绝缘、机械强度都比较优良的氧化铝陶瓷基板作为安装半导体器件、制作无源元件用的基板。但是，随着电子设备仪器的小型轻量化，以及混合集成度大幅提高，使得基板上单位面积所需的散热量不断增大，特别是在大功率电路中更为显著。氧化铝陶瓷由于导热性相对较差，室温下导热率约为15-35W/(m·K)，所以已经不足以适应超大功率的散热需求。这种情况下人们采用所谓复合结构基板，在高散热密度部分采用氧化铍陶瓷板或钼基板，其他部分仍然用的是氧化铝陶瓷基板，以适应高散热密度的要求。但是，复合结构基板在价格、电性能、热性能方面还不十分令人满意，于是迫切要求研制出适合于高集成度、高散热性混合集成电路用陶瓷基板。于是氮化铝陶瓷基板就应运而生了。氮化铝陶瓷基板是解决高散热密度问题的一种新型的，最适合于半导体芯片安装的陶瓷基板。氮化铝单晶的导热率约250W/(m·K)，从理论上来讲，室温下氮化铝单晶的导热率可以达到320W/(m·K)，所以氮化铝材料很适合用制造高散热基板，氮化铝陶瓷的化学稳定性对水、有机溶剂、碱很稳定，对酸有弱腐蚀现象。氮化铝陶瓷不仅可以和氧化铝陶瓷一样在生坯上加工通孔，而且还可以在烧成后进行激光打孔。总之，高导热性氮化铝陶瓷基板，在一些领域里可以替代氧化铝陶瓷基板。其中，对氮化铝陶瓷基板的生产加工过程中需要用到抛光设备，使氮化铝陶瓷基板的表面粗糙度降低，以获得光亮、平整的表面。

但是，现有技术中的氮化铝陶瓷基板的抛光设备，由于大多数是依靠人力对氮化铝陶瓷基板进行抛光，其中在抛光过程中，不便于调节，抛光时容易出现偏差，使用也不方便，导致影响最终的氮化铝陶瓷基板的抛光质量。

实用新型内容

(一)技术问题

针对现有技术存在的不足，本实用新型提供一种氮化铝陶瓷基板的高效抛光设备，旨在解决现有技术中的氮化铝陶瓷基板的抛光设备在抛光作业时存在着由于大多数是依靠人力对氮化铝陶瓷基板进行抛光，其中在抛光过程中，不便于调节，抛光时容易出现偏差，使用也不方便，导致影响最终的氮化铝陶瓷基板的抛光质量的技术问题。

(二)技术方案