[实用新型]一种等离子体增强化学气相沉积设备

权利要求书

1.一种等离子体增强化学气相沉积设备，包括反应腔，其特征在于，还包括设置在所述反应腔内的第一电极、第二电极和遮蔽框组件，所述第一电极的上表面具有承载区，待沉积薄膜的基板放置于所述承载区上，所述遮蔽框组件覆盖所述第一电极的位于所述基板外围的区域，且所述遮蔽框组件的内缘伸入至所述基板和所述第一电极之间，所述第二电极对应设置在所述第一电极的上方。

2.根据权利要求1所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于，所述遮蔽框组件包括遮蔽内框和遮蔽外框，所述遮蔽内框的内缘伸入至所述基板和所述第一电极之间，所述遮蔽外框的内缘与所述遮蔽内框的外缘连接。

3.根据权利要求2所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于，所述遮蔽内框连接在所述第一电极上，所述遮蔽外框的内缘搭接在所述遮蔽内框上。

4.根据权利要求3所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于，所述遮蔽内框与所述基板之间的重叠区域的宽度范围为4-8mm。

5.根据权利要求3所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于，所述遮蔽内框为陶瓷材质，所述遮蔽外框为金属材质。

6.根据权利要求5所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于，所述第一电极的上表面覆盖有绝缘膜，所述遮蔽外框的上表面也覆盖有所述绝缘膜。

7.根据权利要求6所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于，所述绝缘膜的厚度为10-50μm。

8.根据权利要求1-7任一项所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于，还包括气体扩散器，所述气体扩散器位于所述第一电极上方，且安装于所述第二电极下部。

9.根据权利要求3-7任一项所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于，所述遮蔽外框的外缘与所述反应腔的内侧壁之间具有8-12mm的间隙。

10.根据权利要求9所述的等离子体增强化学气相沉积设备，其特征在于，还包括支撑部，所述支撑部设置在所述反应腔的内侧壁上，且所述支撑部位于所述遮蔽外框的朝向所述第一电极的一侧，所述支撑部用于在所述第一电极向背离所述第二电极的方向移动时支撑所述遮蔽外框。