[实用新型]用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置有效
申请号: | 202021176694.1 | 申请日: | 2020-06-23 |
公开(公告)号: | CN212769880U | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 威廉·爱尔兰·米尔恩;骆季奎;汪小知 | 申请(专利权)人: | 杭州英希捷科技有限责任公司 |
主分类号: | C01B32/164 | 分类号: | C01B32/164 |
代理公司: | 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 | 代理人: | 沈相权 |
地址: | 311215 浙江省杭州市萧山区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 连续 生长 纳米 阵列 化学 沉积 装置 | ||
本实用新型公开了用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置,包括真空箱,所述真空箱内腔底部的两侧活动连接有卷出辊,所述真空箱内腔的顶部和底部之间活动连接有张力调节组件,张力调节组件包括两个活动辊,两个活动辊的顶部和底部均固定连接有固定板,真空箱的顶部固定连接有密封件,密封件的底部贯穿真空箱并延伸至真空箱的内部,本实用新型涉及碳纳米管技术领域。该用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置,通过在活动辊的顶部和底部设置固定板,配合转动套内的转动杆和调节杆,再利用固定板的转动关系,能够对活动辊的位置进行调节,从而能够对张力进行控制,此结构较为简单,操作方便,易于推广。
技术领域
本实用新型涉及碳纳米管技术领域,具体为用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置。
背景技术
化学气相沉积是一种化工技术,该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法,化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术,化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料,这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物,也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物,而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控。
目前的卷对卷化学气相沉积装置在调节张力时,都是通过调节活动辊的位置进行张力的调节,而目前对活动辊的位置进行调节较为麻烦,为此本实用新型提供用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型提供了用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置,解决了对调节活动辊较为麻烦的问题。
为实现以上目的,本实用新型通过以下技术方案予以实现:用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置,包括真空箱,所述真空箱内腔底部的两侧活动连接有卷出辊,所述真空箱内腔的顶部和底部之间活动连接有张力调节组件,所述张力调节组件包括两个活动辊,两个所述活动辊的顶部和底部均固定连接有固定板,所述真空箱的顶部固定连接有密封件,所述密封件的底部贯穿真空箱并延伸至真空箱的内部,所述密封件内部的两侧固定连接有转动套,所述转动套的底端贯穿密封件并延伸至密封件的外部,所述转动套的内表面转动连接有转动杆,所述转动杆的底端与位于上方固定板的顶部固定连接,所述转动杆的顶端固定连接有调节杆,位于下方所述固定板的底部通过转动块与真空箱内腔的底部转动连接。
优选的,所述卷出辊的顶部与底部均固定连接有顶板,两个所述顶板相对远离的一侧均固定连接有连接杆,所述连接杆的一端贯穿真空箱并延伸至真空箱的外部。
优选的,所述连接杆的外表面固定连接有安装机构,所述安装机构包括固定套,所述连接杆的内部开设有置物腔,所述固定套的两侧均转动连接有固定螺栓,两个所述固定螺栓相对的一端均依次贯穿固定套、连接杆和置物腔并延伸至置物腔的内部,所述固定螺栓的一端固定连接有限位杆,卷出辊的顶部与底部均开设有限位槽,所述限位槽的内表面与限位杆的外表面相适配。
优选的,所述置物腔内壁的两侧之间固定连接有孔板,所述限位条的外表面固定连接有滑动套,所述滑动套的底部与孔板的顶部滑动连接。
优选的,所述固定套的内表面与连接杆的外表面固定连接,所述限位杆位于置物腔的内部,所述限位条的外表面与孔板的内表面滑动连接。
优选的,所述真空箱的顶部固定连接有伺服电机,所述伺服电机的输出端固定连接有双槽轮,位于上方所述连接杆的外表面固定连接有单槽轮,所述双槽轮的内表面通过皮带与单槽轮的内表面传动连接。
有益效果
本实用新型提供了用于连续生长碳纳米管阵列的卷对卷化学气相沉积装置。与现有技术相比具备以下有益效果:
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