[实用新型]非对称沟槽IGBT结构

权利要求书

1.一种非对称沟槽IGBT结构，其特征在于，包括半导体衬底和元胞结构，所述元胞结构包括：

漂移区，所述漂移区位于所述半导体衬底一侧；

第一沟槽栅单元，所述第一沟槽栅单元位于所述漂移区一侧，所述第一沟槽栅单元的沟槽内设有第一栅极，所述第一栅极和所述第一沟槽栅单元的沟槽内壁之间设有厚度不均匀的第一栅极氧化层；

第二沟槽栅单元，所述第二沟槽栅单元位于所述漂移区一侧，所述第二沟槽栅单元的沟槽内设有第二栅极，所述第二栅极和所述第二沟槽栅单元的沟槽内部之间设有厚度不均匀的第二栅极氧化层；

其中，所述第一沟槽栅单元和所述第二沟槽栅单元相邻侧之间设有第一阱区，所述第一沟槽栅单元远离所述第二沟槽栅单元侧设有第二阱区和第一源区，所述第二沟槽栅单元远离所述第一沟槽栅单元侧设有第三阱区和第二源区。

2.根据权利要求1所述的非对称沟槽IGBT结构，其特征在于，所述元胞结构为非对称结构。

3.根据权利要求2所述的非对称沟槽IGBT结构，其特征在于，所述第一阱区、所述第一沟槽栅单元和所述第二沟槽栅单元临近所述漂移区的侧边位于同一直线上。

4.根据权利要求3所述的非对称沟槽IGBT结构，其特征在于，其中，所述第二阱区和所述第一源区，以及第三阱区和所述第二源区均连接发射极金属。

5.根据权利要求4所述的非对称沟槽IGBT结构，其特征在于，其中，所述第一栅极和所述第二栅极均连接栅极金属。

6.根据权利要求5所述的非对称沟槽IGBT结构，其特征在于，还包括缓冲区，所述缓冲区位于所述半导体衬底和所述漂移区之间。