[实用新型]一种抗干扰的厚膜集成电路有效

专利信息
申请号: 202021197194.6 申请日: 2020-06-24
公开(公告)号: CN212230425U 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 黄伟聪;陈保青;冯嘉俊 申请(专利权)人: 广东天泓新材料科技有限公司
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L23/08;H01L23/367;H01L23/373
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 广东省佛山市顺德区大良街道*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 抗干扰 集成电路
【权利要求书】:

1.一种抗干扰的厚膜集成电路,其特征在于,包括陶瓷基壳(1),所述陶瓷基壳(1)是由陶瓷下基体(2)和陶瓷基帽(3)构成,所述陶瓷下基体(2)的内侧壁设置有抗干扰金属内层一(4),所述抗干扰金属内层一(4)的顶端设置有厚膜陶瓷基片(5),所述厚膜陶瓷基片(5)的顶端设置有厚膜集成电路(6),所述厚膜集成电路(6)的两端分别均设置有穿插于所述陶瓷基壳(1)的金属引脚(7),所述厚膜集成电路(6)的顶端设置有若干散热片一(8),所述散热片一(8)的顶端设置有卡套(9),所述卡套(9)的内部设置有导热硅胶(10),所述卡套(9)的顶端设置有穿插于所述陶瓷基帽(3)的散热片二(11),所述陶瓷基帽(3)的内侧壁设置有抗干扰金属内层二(12)。

2.根据权利要求1所述的一种抗干扰的厚膜集成电路,其特征在于,所述陶瓷下基体(2)和所述抗干扰金属内层一(4)顶部的两端分别均开设有与所述金属引脚(7)相匹配的槽孔(13),所述槽孔(13)的内部设置有绝缘垫片(14)。

3.根据权利要求1所述的一种抗干扰的厚膜集成电路,其特征在于,所述陶瓷下基体(2)和所述陶瓷基帽(3)之间通过黏胶层(15)固定连接。

4.根据权利要求1所述的一种抗干扰的厚膜集成电路,其特征在于,所述抗干扰金属内层一(4)的顶端开设有若干插槽(16),所述抗干扰金属内层二(12)的底端设置有若干与所述插槽(16)相匹配的插柱(17)。

5.根据权利要求1所述的一种抗干扰的厚膜集成电路,其特征在于,所述散热片二(11)上设置有与所述卡套(9)相匹配的挡片(18)。

6.根据权利要求1所述的一种抗干扰的厚膜集成电路,其特征在于,所述卡套(9)为绝缘材质。

7.根据权利要求1所述的一种抗干扰的厚膜集成电路,其特征在于,所述散热片一(8)和所述散热片二(11)均为铝材质,所述抗干扰金属内层一(4)和所述抗干扰金属内层二(12)均为铬和金材质。

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