[实用新型]存储器

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

衬底；

多条位线结构，位于所述衬底上并界定出若干节点接触窗，所述位线结构包括位线导电层及覆盖所述位线导电层的位线遮蔽层；

第一电性传输层，位于所述节点接触窗中，所述第一电性传输层至少填充部分深度的节点接触窗；

第二电性传输层，覆盖所述第一电性传输层的部分顶部及所述位线遮蔽层的部分顶部并与所述第一电性传输层电性连接；以及，

间隔图案，覆盖所述位线遮蔽层的剩余顶部及所述第一电性传输层的剩余顶部，以间隔相邻的第二电性传输层。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一电性传输层完全填充所述节点接触窗，其中，所述第二电性传输层的底部与所述位线遮蔽层的顶部齐平。

3.如权利要求1或2所述的存储器，其特征在于，所述间隔图案包括绝缘材料层。

4.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述间隔图案还包括缓冲材料层，所述缓冲材料层位于所述绝缘材料层与所述第一电性传输层之间以及位于所述绝缘材料层与所述位线遮蔽层之间。

5.如权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述缓冲材料层的材料为与所述位线遮蔽层具有刻蚀选择比的材料。

6.如权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述缓冲材料层的材料为导电材料，且所述存储器还包括：

绝缘侧墙，至少覆盖所述间隔图案的侧壁以将所述缓冲材料层与所述第一电性传输层及所述第二电性传输层电性隔离。

7.一种存储器，其特征在于，包括：

衬底；

多条位线结构，位于所述衬底上并界定出若干节点接触窗，所述位线结构包括位线导电层及覆盖所述位线导电层的位线遮蔽层；

第一电性传输层，位于所述节点接触窗中，所述第一电性传输层至少填充部分深度的节点接触窗；

第二电性传输层，填充剩余深度的节点接触窗并向上延伸，所述第二电性传输层还与所述第一电性传输层电性连接；

间隔图案，覆盖所述位线遮蔽层的顶部以间隔相邻的第二电性传输层；以及，

绝缘侧墙，至少位于所述间隔图案的侧壁以将所述间隔图案与所述第一电性传输层及所述第二电性传输层电性隔离。

8.如权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述间隔图案包括缓冲材料层及覆盖所述缓冲材料层的绝缘材料层，所述缓冲材料层的材料为与所述位线遮蔽层具有刻蚀选择比的导电材料。

9.如权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述缓冲材料层的材料为导电材料。

10.如权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述缓冲材料层还从所述位线遮蔽层上延伸至所述剩余深度的节点接触窗中，所述绝缘侧墙还位于所述缓冲材料层与所述第一电性传输层之间。