[实用新型]一种硅基滤波芯片器件

说明书

本实用新型适用于通信技术领域，提供了一种硅基滤波芯片器件，包括：第一谐振器、第二谐振器、介质层和衬底层；所述第一谐振器位于硅基滤波芯片器件的表层，由磁电耦合传输线组成；所述第二谐振器邻接于所述第一谐振器，由磁电耦合传输线组成，所述第一谐振器和所述第二谐振器协同工作，形成频率通带和谐波抑制频带；所述介质层位于所述第二谐振器和所述衬底层之间；所述衬底层形成所述硅基滤波芯片器件的底部。该硅基滤波芯片器件可以形成调节传输零点，优化了硅基滤波芯片器件的选择性。

技术领域

本实用新型属于通信技术领域，尤其涉及一种硅基滤波芯片器件。

背景技术

伴随着现代无线通信技术的高速发展，通信产品已经广泛的融入了人们的生活中，对人们的影响越来越大。无线通信系统的标准由传统的GSM标准到第三代通信标准WCDMA、TD-SCDMA、CDMA2000，以及今天普遍采用的第四代通信标准LTE(Long TermEvaluation，长期演进技术)和需要推进的5G通信时代。无源器件在通信系统中起到提升整体系统通信质量的作用。

滤波器作为无线通信系统中关键器件之一，其性能对系统终端的影响重大。滤波器可以调节系统的谐波成分、降低邻近信道之间的干扰等。已有的滤波器件主要是基于印刷电路板或金属腔体来实现在5G毫米波频段的工作。这会带来了滤波器件本身体积过大，不适用于集成等问题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种滤波器，旨在提高滤波器的选择性。

本实用新型是这样实现的，一种硅基滤波芯片器件，包括：第一谐振器、第二谐振器、介质层和衬底层；

所述第一谐振器位于硅基滤波芯片器件的表层，由磁电耦合传输线组成；

所述第二谐振器邻接于所述第一谐振器，由磁电耦合传输线组成，所述第一谐振器和所述第二谐振器协同工作，形成频率通带和谐波抑制频带；

所述介质层位于所述第二谐振器和所述衬底层之间；

所述衬底层形成所述硅基滤波芯片器件的底部。

进一步地，所述第一谐振器和所述第二谐振器之间具有二氧化硅基材。

进一步地，所述第一谐振器、第二谐振器和介质层的外围形成有环形地，所述环形地用于隔离杂波。

进一步地，所述第一、第二谐振器均由磁电耦合传输线围成，所述第一谐振器关于纵向轴线对称，所述第二谐振器关于纵向轴线对称。

进一步地，所述第一谐振器围设成的结构的纵向磁电耦合传输线与所述第二谐振器围设成的结构的纵向磁电耦合传输线重叠，所述第一谐振器围设成的结构的横向磁电耦合传输线与所述第二谐振器围设成的结构的横向磁电耦合传输线对应。

进一步地，所述第一谐振器由磁电耦合传输线围成，具有第一凸状结构、第二凸状结构、第一凹状结构、第一传输端和第二传输端，所述第一凹状结构连接所述第一凸状结构和所述第二凸状结构，所述第一传输端连接于所述第一凸状结构的纵向磁电耦合传输线的中间部位，所述第二传输端连接于所述第二凸状结构的纵向磁电耦合传输线的中间部位。

进一步地，所述第二谐振器由磁电耦合传输线围成，具有第三凸状结构、第二凹状结构和第三凹状结构，所述第三凸状结构连接所述第二凹状结构和所述第三凹状结构。

进一步地，所述第一谐振器由磁电耦合传输线围成，具有相对设置的第四凸状结构和第五凸状结构，相对设置的第六凸状结构和第七凸状结构，第一传输端和第二传输端；

所述第四凸状结构和第六凸状结构均位于上侧且相邻设置，所述第四凸状结构和第六凸状结构之间由磁电耦合传输线连接以形成一凹状结构；

所述第五凸状结构和第七凸状结构均位于下侧且相邻设置；