[实用新型]快速恢复功率轴向半导体器件

说明书

本实用新型公开一种快速恢复功率轴向半导体器件，包括：二极管芯片、第一金属引线和第二金属引线，所述二极管芯片、第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端位于环氧封装体内，此第一金属引线和第二金属引线各自引脚端分别从环氧封装体两侧延伸出，所述第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端与二极管芯片均通过焊片层连接；所述第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端进一步包括端面板和位于端面板表面间隔分布的若干个凸柱，所述焊片层位于金属引线的端面板、凸柱与二极管芯片之间。本实用新型快速恢复功率轴向半导体器件有效改善了焊接过程中二极管芯片与金属引线的位置偏移，避免了虚焊，从而提高了器件的可靠性并延长了芯片的使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种快速恢复功率轴向半导体器件。

背景技术

电力电子器件是一种能够实现电能高效率应用和精确控制的电力半导体器件，是电力电子技术的基础。日益严重的能源和环境问题使得人们对电能的变换效率、品质愈来愈关注，也引导了功率器件沿着高效率、高频率、高耐压、高功率、集成化、智能化等方向迅速发展。

在许多工作条件下，这些器件需要一个与之反并联的二极管以提供续流通道，减少电容的充放电时间，同时抑制因负载电流瞬时反向而感应的高电压。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种快速恢复功率轴向半导体器件，该快速恢复功率轴向半导体器件有效改善了焊接过程中二极管芯片与金属引线的位置偏移，避免了虚焊，从而提高了器件的可靠性并延长了芯片的使用寿命。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种快速恢复功率轴向半导体器件，包括：二极管芯片、第一金属引线和第二金属引线，所述二极管芯片、第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端位于环氧封装体内，此第一金属引线和第二金属引线各自引脚端分别从环氧封装体两侧延伸出，所述第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端与二极管芯片均通过焊片层连接；

所述第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端进一步包括端面板和位于端面板表面间隔分布的若干个凸柱，所述焊片层位于金属引线的端面板、凸柱与二极管芯片之间。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1. 上述方案中，所述焊片层为锡层或银层。

2. 上述方案中，所述金属引线的端面板的面积大于二极管芯片的面积。

3. 上述方案中，所述第一金属引线和第二金属引线均为铜引线。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

本实用新型快速恢复功率轴向半导体器件，其第一金属引线和第二金属引线各自的焊接端进一步包括端面板和位于端面板表面间隔分布的若干个凸柱，所述焊片层位于金属引线的端面板、凸柱与二极管芯片之间，有效改善了焊接过程中二极管芯片与金属引线的位置偏移，避免了虚焊，从而提高了器件的可靠性并延长了芯片的使用寿命。

附图说明

附图1为本实用新型快速恢复功率轴向半导体器件结构示意图。

以上附图中：1、二极管芯片；2、第一金属引线；3、第二金属引线；4、焊接端；5、引脚端；6、环氧封装体；7、焊片层；8、端面板；9、凸柱。

具体实施方式

实施例1：一种快速恢复功率轴向半导体器件，包括：二极管芯片1、第一金属引线2和第二金属引线3，所述二极管芯片1、第一金属引线2和第二金属引线3各自的焊接端4位于环氧封装体6内，此第一金属引线2和第二金属引线3各自引脚端5分别从环氧封装体6两侧延伸出，所述第一金属引线2和第二金属引线3各自的焊接端4与二极管芯片1均通过焊片层7连接；