[实用新型]一种DC-40GHz宽带PIN单刀三掷开关

说明书

本实用新型公开了一种DC‑40GHz宽带PIN单刀三掷开关，包括射频输入公共信号端，所述射频输入公共信号端和串联二极管连接，用于向电路发射RF射频信号；三个射频输出信号端，所述射频输出信号端分别和串联二极管及并联二极管连接，用于接收输出的RF射频信号；串联二极管和并联二极管，串联二极管和并联二极管用于将射频输入公共信号端发出的RF射频信号并导通至射频输出信号端或导通至地；直流偏置，所述直流偏与串联二极管和并联二极管连接，用于控制其导通或截止，本实用新型能够实现单刀三掷的效果，选用串联和并联结合的结构，插入损耗低、功率容量和隔离度高，多管串联和多管并联二极管采用同一个直流偏置，节省开关的功率。

技术领域

本实用新型涉及PIN开关技术领域，具体为一种DC-40GHz宽带PIN单刀三掷开关。

背景技术

传统的PIN开关电路，采用GaAs PIN工艺制作，传统GaAs工艺开关插损更大，用并联和串联的方式可以构成一个简单的单刀三掷开关，串联开关具有在宽带范围内传输低损耗的优势，但隔离度较差，而并联开关主要用于较大隔离度的应用中，现有的PIN单刀三掷开关，难以在在带宽和隔离度之间做出折衷，隔离度和插入损耗难以均衡，而且功率的承受能力有限，直流偏置的功率需求大。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种DC-40GHz宽带PIN单刀三掷开关，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种DC-40GHz宽带PIN单刀三掷开关，包括：

射频输入公共信号端，所述射频输入公共信号端和串联二极管连接，用于向电路输入RF射频信号，

三个射频输出信号端，所述射频输出信号端分别和串联二极管及并联二极管连接，用于接收输出的RF射频信号；

串联二极管和并联二极管，串联二极管和并联二极管用于将射频输入公共信号端发出的RF射频信号并导通至射频输出信号端或导通至地；以及；

直流偏置，所述直流偏与串联二极管和并联二极管连接，用于控制其导通或截止。

所述串联二极管和并联二极管均设置有三组。

优选的，所述串联二极管和并联二极管均设置有三组。

优选的，所述串联二极管为两个PIN二极管串联，并联二极管为三个PIN二极管并联。

优选的，所述直流偏置设置有三组,分别控制三组串联二极管和并联二极管。

优选的，所述直流偏置的输出连接有进行扼流和滤波的电感、电容。

优选的，所述射频输入公共信号端连接有进行匹配滤波的电阻、电容和电感。

优选的，所述直流偏置的输出为+5V和-5V的偏置电压，提供10mA驱动电流。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

提供一种输入/输出端50欧匹配，频率范围覆盖DC-40GHz，-5V/+5V控制的PIN单刀三掷开关，采用GaAs PIN工艺设计，合理选择了开关的拓扑结构和PIN二极管的尺寸、工作状态，优化了匹配电路。

该电路包含串联二极管和并联到地二极管，并通过增加二极管个数，提高了产品的隔离度和功率容量，为了减小产品的插入损耗，优化了二极管尺寸，产品在整个工作频率范围内具有优良的开关特性和端口驻波特性。

本实用新型电路与传统的开关相比，明显降低了插入插损，提高了功率容量。

附图说明

图1为本实用新型的电路装配示意图；

图2为本实用新型电路简略结构图；