[实用新型]一种二极管电流旁路控制电路有效
申请号: | 202021235241.1 | 申请日: | 2020-06-29 |
公开(公告)号: | CN212231416U | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 肖川 | 申请(专利权)人: | 上海汇瑞半导体科技有限公司 |
主分类号: | H03K17/16 | 分类号: | H03K17/16;H03K17/08 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201206 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 二极管 电流 旁路 控制电路 | ||
本实用新型提供一种二极管电流旁路控制电路,所述控制电路包括:主模块、二极管电流感应模块及驱动模块,所述主模块包括主开关管及主二极管,主二极管并联于主开关管的源、漏两端;所述二极管电流感应模块连接于主二极管的两端,用于感应流经主二极管的电流;所述驱动模块连接于二极管电流感应模块的输出端及主开关管的栅端,用于产生与感应电流呈比例的驱动电流以驱动主开关管导通;其中,主模块、二极管电流感应模块及驱动模块构成负反馈环路,实现减小主二极管的电流至设定电流值。通过本实用新型解决了现有技术中在主开关管关断周期内大电流流过体二极管或续流二极管而导致的发热问题及因大电流引入衬底而导致的电路失控问题。
技术领域
本实用新型涉及集成电路领域,特别是涉及一种二极管电流旁路控制电路。
背景技术
随着社会对高效和环保越来越重视,功率MOSFET、IGBT、SiC、GaN等不断提升效率的功率器件得到不断发展,如何增加效率、减小发热成为工程师为之努力的目标。
功率MOSFET、IGBT、SiC、GaN等在功率电源或作为主开关管使用时,在这些主开关关断周期内广泛涉及到大电流从体二极管或续流二极管流过;如功率MOSFET在开关电源使用时,开关切换期间,大电流从功率MOSFET的体二极管流过;又如便携式设备电池中,保护所使用的MOSFET在过压保护和欠压保护期间,大电流放电和充电电流都将全部从MOSFET分离器件的体二极管流过;还如在高效节能的直流电机驱动应用中IGBT/SiC/GaN等功率开关管会额外增加续流二极管,以便在上下桥驱动主开关管关断时达到数十上百安培的电流从续流二极管流过,以驱动电机正常工作。
由于流过体二极管或续流二极管的大电流往往会导致发热,甚至因衬底电流过大导致逻辑混乱,从而使电路无法正常工作;因此,如何减小这种负面效应,长久以来都是工程师不断摸索的方向。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种二极管电流旁路控制电路,用于解决现有技术中在主开关管关断周期内大电流流过体二极管或续流二极管而导致的发热问题及因大电流引入衬底而导致的电路失控问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种二极管电流旁路控制电路,所述控制电路包括:主模块、二极管电流感应模块及驱动模块,
所述主模块包括主开关管及主二极管,所述主二极管并联于所述主开关管的源、漏两端;
所述二极管电流感应模块连接于所述主二极管的两端,用于感应流经所述主二极管的电流;
所述驱动模块连接于所述二极管电流感应模块的输出端及所述主开关管的栅端,用于产生与所述感应电流呈比例的驱动电流以驱动所述主开关管导通;
其中,所述主模块、所述二极管电流感应模块及所述驱动模块构成负反馈环路,实现减小所述主二极管的电流至设定电流值。
可选地,所述二极管电流感应模块包括感应二极管,其通过使所述感应二极管两端的电压正相关或等于所述主二极管两端的电压,实现通过所述感应二极管感应流经所述主二极管的电流。
可选地,所述二极管电流感应模块包括:误差放大器、源跟随管及感应二极管,所述误差放大器的同相输入端连接于所述主二极管的阳极端,所述误差放大器的反相输入端连接于所述源跟随管的源端及所述感应二极管的阳极端,所述误差放大器的输出端连接于所述源跟随管的栅端,所述源跟随管的漏端作为所述二极管电流感应模块的输出端,所述感应二极管的阴极端连接于所述主二极管的阴极端。
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