[实用新型]一种待机功耗低的MCU有效
申请号: | 202021237844.5 | 申请日: | 2020-06-29 |
公开(公告)号: | CN212160414U | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 朱乐永;张金弟;孙金辉;王铭义;杨磊;马洋;印俊明 | 申请(专利权)人: | 上海芯圣电子股份有限公司 |
主分类号: | G05B19/042 | 分类号: | G05B19/042 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201600 上海市松江*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 待机 功耗 mcu | ||
1.一种待机功耗低的MCU,其特征在于,包括上电复位电路POR、第一稳压器、带隙基准模块Bandgap、第二稳压器、欠压复位电路BOR、CPU和或门OR;所述CPU的输出端连接所述欠压复位电路BOR、第二稳压器和带隙基准模块Bandgap的使能输入端,所述CPU的输出连接所述第一稳压器的输入端,所述上电复位电路POR和所述欠压复位电路BOR的输出端连接所述或门OR输入端,所述或门OR的输出端连接所述CPU的输入端,所述带隙基准模块Bandgap的输出端连接所述欠压复位电路BOR和所述第二稳压器的输入端,所述第二稳压器的输出端和所述第一稳压器的输出端连接后接所述CPU的电源输入端。
2.根据权利要求1所述的一种待机功耗低的MCU,其特征在于,所述第一稳压器包括输入端子、输出端子、输出晶体管、偏置电路、trim电路、基准电压电路和地端子,所述输出晶体管的漏极连接所述输入端子,所述输出晶体管的栅极连接所述基准电压电路,所述输出晶体管的源极连接所述输出端子,所述偏置电路连接于所述输入端子和所述基准电压电路之间,所述基准电压电路连接所述trim电路、所述偏置电路、所述地端子和所述输出晶体管的栅极。
3.根据权利要求2所述的一种待机功耗低的MCU,其特征在于,所述基准电压电路包括1个MOS管。
4.根据权利要求2所述的一种待机功耗低的MCU,其特征在于,所述第二稳压器包括LDO。
5.根据权利要求1所述的一种待机功耗低的MCU,其特征在于,还包括存储器、I/O。
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