[实用新型]一种IGBT过流保护电路

权利要求书

1.一种IGBT过流保护电路，其特征在于，包括用于产生过流信号的比较器(1)、用于监测过流信号以及控制IGBT的驱动芯片(3)、根据预设吸收值进行过电流吸收的电流吸收单元(2)，所述比较器(1)的同相输入端连接有用于采集IGBT电流信号的电流采样单元(101)，所述比较器(1)的反相输入端连接有保护阈值设置单元(102)，所述比较器(1)的输出端与电流吸收单元(2)连接，所述驱动芯片(3)分别与比较器(1)的输出端、IGBT连接，所述电流吸收单元(2)还与IGBT连接。

2.根据权利要求1所述的一种IGBT过流保护电路，其特征在于，所述电流吸收单元(2)包括第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一NMOS管的D极和第二NMOS管的D极均分别连接至第二电阻的一端、IGBT的G极，所述第二电阻的另一端连接至驱动芯片(3)，所述第一NMOS管的G极和第二NMOS管的G极分别连接有第一分压模块和第二分压模块，所述第一分压模块的一端连接至IGBT的G极，所述第一分压模块的另一端连接至IGBT的E极，所述第二分压模块的一端连接至第一NMOS管的S极，所述第二分压模块的另一端连接至IGBT的E极，所述第二NMOS管的S极连接至IGBT的E极。

3.根据权利要求2所述的一种IGBT过流保护电路，其特征在于，所述第一分压模块包括串联的第三电阻和第四电阻，所述第三电阻的一端连接至IGBT的G极，所述第三电阻的另一端分别连接至第一NMOS管的G极、第四电阻的一端，所述第四电阻的另一端连接至IGBT的E极。

4.根据权利要求2所述的一种IGBT过流保护电路，其特征在于，所述第二分压模块包括串联的第五电阻和第六电阻，所述第五电阻的一端连接至第一NMOS管的S极，所述第五电阻的另一端分别连接至第二NMOS管的G极、第六电阻的一端，所述第六电阻的另一端连接至IGBT的E极。

5.根据权利要求4所述的一种IGBT过流保护电路，其特征在于，所述第五电阻的两端并联有第二电容。

6.根据权利要求1所述的一种IGBT过流保护电路，其特征在于，所述驱动芯片(3)的去饱和引脚连接至第一二极管的阳极，所述第一二极管的阴极连接至比较器(1)的输出端，所述驱动芯片(3)的去饱和引脚还通过第一电容接地。

7.根据权利要求6所述的一种IGBT过流保护电路，其特征在于，所述比较器(1)的输出端分别连接至第二二极管的阴极、第一电阻的一端，所述第二二极管的阳极连接至第一NMOS管的G极，所述第一电阻的另一端连接至工作电源。

8.根据权利要求7所述的一种IGBT过流保护电路，其特征在于，所述IGBT的E极通过第三电容分别与第二NMOS管的S极、第六电阻、第四电阻连接。

9.根据权利要求8所述的一种IGBT过流保护电路，其特征在于，所述第三电容、第二NMOS管的S极、第六电阻和第四电阻均连接至-5V电压。

10.根据权利要求9所述的一种IGBT过流保护电路，其特征在于，所述IGBT的G极与E极之间连接有第七电阻。