[实用新型]GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片有效
| 申请号： | 202021242844.4 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN212209498U | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 王军明;盛锋;李晖 | 申请（专利权）人： | 上海瞬雷科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L21/328 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 李佳俊;郭国中 |
| 地址： | 201800 上海市嘉*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gpp 单向 瞬间 电压 抑制 二极管 芯片 | ||
1.一种GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片，其特征在于，包括：N++层(4)、P+层(5)和P++层(6)；
所述P++层(6)的上表面包括平面部分和沿所述平面部分的边缘环绕设置的腐蚀沟槽(1)；
所述P+层(5)设置于所述P++层(6)的上侧，所述N++层(4)设置于所述P+层(5)的上侧；
所述N++层(4)的侧面、所述P+层(5)的侧面以及所述腐蚀沟槽(1)内设置有钝化玻璃(2)。
2.根据权利要求1所述的GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片，其特征在于，所述腐蚀沟槽(1)呈半个倒梯形。
3.根据权利要求1所述的GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片，其特征在于，所述平面部分的宽度与所述N++层(4)、所述P+层(5)的宽度相同。
4.根据权利要求1所述的GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片，其特征在于，所述N++层(4)的侧面的钝化玻璃(2)的高度高于所述N++层(4)的上表面。
5.根据权利要求1所述的GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片，其特征在于，所述N++层(4)的上表面设置有第一金属层以及环绕所述第一金属层的边缘设置的二氧化硅层(7)。
6.根据权利要求5所述的GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片，其特征在于，所述N++层(4)的侧面的钝化玻璃(2)的高度高于所述N++层(4)的上表面，且覆盖在所述N++层(4)的上表面边缘，与所述二氧化硅层(7)连接。
7.根据权利要求1所述的GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片，其特征在于，所述P++层(6)的下表面设置有第二金属层。
8.根据权利要求1所述的GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片，其特征在于，所述腐蚀沟槽(1)的深度为80±3微米。
9.根据权利要求1所述的GPP单向瞬间电压抑制二极管芯片，其特征在于，所述腐蚀沟槽(1)的最宽处宽度为280±10微米。
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