[实用新型]一种紫外光发光二极管外延片及含该外延片的发光二极管有效
| 申请号： | 202021244859.4 | 申请日： | 2020-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN212230447U | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 李娇;张义颖 | 申请（专利权）人： | 苏州匠笃机电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 赖婉婷 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 紫外光 发光二极管 外延 | ||
1.一种紫外光发光二极管外延片，包括衬底及设置在所述衬底上的缓冲层，其特征在于：所述外延片还包括依次设置在所述缓冲层上的P型层、电子阻挡层、多量子阱发光层及N型层，所述缓冲层位于所述衬底和P型层之间，所述缓冲层为不掺杂的AlN缓冲层或不掺杂的AlGaN缓冲层，所述P型层为P型掺杂的GaN层或P型掺杂的AlGaN层，所述N型层为N型掺杂的AlGaN层。
2.根据权利要求1所述的紫外光发光二极管外延片，其特征在于：所述P型层为P型掺杂的AlGaN层，所述电子阻挡层为AlGaN电子阻挡层，所述多量子阱发光层为AlGaN多量子阱发光层。
3.根据权利要求1所述的紫外光发光二极管外延片，其特征在于：所述电子阻挡层为掺杂或不掺杂的AlGaN电子阻挡层，所述多量子阱发光层为掺杂或者不掺杂的AlGaN多量子阱发光层。
4.根据权利要求1所述的紫外光发光二极管外延片，其特征在于：所述多量子阱发光层为AlGaN多量子阱发光层。
5.根据权利要求1所述的紫外光发光二极管外延片，其特征在于：所述缓冲层的厚度为大于等于0.01μm。
6.根据权利要求5所述的紫外光发光二极管外延片，其特征在于：所述缓冲层的厚度为0.01μm~10μm。
7.根据权利要求1所述的紫外光发光二极管外延片，其特征在于：所述P型层的厚度为0.01~20μm。
8.根据权利要求1所述的紫外光发光二极管外延片，其特征在于：所述N型层的厚度为0.1~20μm。
9.根据权利要求1所述的紫外光发光二极管外延片，其特征在于：所述衬底为三氧化二铝衬底、氮化铝衬底、硅衬底或碳化硅衬底。
10.一种紫外光发光二极管，其特征在于：所述紫外光发光二极管包含权利要求1~9中任一项权利要求所述的紫外光发光二极管外延片。
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